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SIHFR420AT-E3

产品描述3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小3MB,共7页
制造商Kersemi Electronic
官网地址http://www.kersemi.com
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SIHFR420AT-E3概述

3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

3.3 A, 500 V, 3 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-252AA

SIHFR420AT-E3规格参数

参数名称属性值
最小击穿电压500 V
端子数量2
加工封装描述ROHS COMPLIANT, DPAK-3
each_compliYes
欧盟RoHS规范Yes
状态Active
额定雪崩能量140 mJ
壳体连接DRAIN
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
drain_current_max__abs___id_3.3 A
最大漏电流3.3 A
最大漏极导通电阻3 ohm
场效应晶体管技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
jedec_95_codeTO-252AA
jesd_30_codeR-PSSO-G2
jesd_609_codee3
moisture_sensitivity_level1
元件数量1
操作模式ENHANCEMENT MODE
最大工作温度150 Cel
包装材料PLASTIC/EPOXY
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
eak_reflow_temperature__cel_260
larity_channel_typeN-CHANNEL
wer_dissipation_max__abs_83 W
最大漏电流脉冲10 A
qualification_statusCOMMERCIAL
sub_categoryFET General Purpose Power
表面贴装YES
端子涂层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
ime_peak_reflow_temperature_max__s_30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

SIHFR420AT-E3相似产品对比

SIHFR420AT-E3 IRFR420ATRPbF IRFR420ATRR IRFU420APbF SIHFU420A
描述 3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
最小击穿电压 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V
端子数量 2 2 2 2 2
加工封装描述 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3
each_compli Yes Yes Yes Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes Yes Yes Yes
状态 Active Active Active Active Active
额定雪崩能量 140 mJ 140 mJ 140 mJ 140 mJ 140 mJ
壳体连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
drain_current_max__abs___id_ 3.3 A 3.3 A 3.3 A 3.3 A 3.3 A
最大漏电流 3.3 A 3.3 A 3.3 A 3.3 A 3.3 A
最大漏极导通电阻 3 ohm 3 ohm 3 ohm 3 ohm 3 ohm
场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
jedec_95_code TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
jesd_30_code R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
jesd_609_code e3 e3 e3 e3 e3
moisture_sensitivity_level 1 1 1 1 1
元件数量 1 1 1 1 1
操作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最大工作温度 150 Cel 150 Cel 150 Cel 150 Cel 150 Cel
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
eak_reflow_temperature__cel_ 260 260 260 260 260
larity_channel_type N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
wer_dissipation_max__abs_ 83 W 83 W 83 W 83 W 83 W
最大漏电流脉冲 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A
qualification_status COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
sub_category FET General Purpose Power FET General Purpose Power FET General Purpose Power FET General Purpose Power FET General Purpose Power
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子涂层 MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
ime_peak_reflow_temperature_max__s_ 30 30 30 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
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