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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SIHF740ASTL-E3
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SIHF740ASTL-E3

产品描述10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小215KB，共10页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SIHF740ASTL-E3概述

10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA

10 A, 400 V, 0.55 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-262AA

SIHF740ASTL-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codeunknow
雪崩能效等级（Eas）630 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)10 A
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻0.55 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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IRF740AS, SiHF740AS, IRF740AL, SiHF740AL
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
()
Q
g
(Max.) (nC)
Q
gs
(nC)
Q
gd
(nC)
Configuration
V
GS
= 10 V
36
9.9
16
Single
D
FEATURES
400
0.55
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK
(TO-263)
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• Low Gate Charge Q
g
Results in Simple Drive
Requirement
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Ruggedness
• Fully
Characterized
Capacitance
and
Avalanche Voltage and Current
• Effective C
oss
specified
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
G
G
D
S
D
S
G
• Switch Mode Power Supply (SMPS)
• Uninterruptible Power Supply
• High speed Power Switching
TYPICAL SMPS TOPOLOGIES
S
N-Channel MOSFET
• Single Transistor Flyback Xfmr. Reset
• Single Transistor Forward Xfmr. Reset (Both for US Line
Input Only)
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free and Halogen-free
Lead (Pb)-free
Note
a. See device orientation.
D
2
PAK (TO-263)
SiHF740AS-GE3
IRF740ASPbF
SiHF740AS-E3
D
2
PAK (TO-263)
SiHF740ASTRL-GE3
a
IRF740ASTRLPbF
a
SiHF740ASTL-E3
a
D
2
PAK (TO-263)
SiHF740ASTRR-GE3
a
IRF740ASTRRPbF
a
SiHF740ASTR-E3
a
I
2
PAK (TO-262)
SiHF740AL-GE3
IRF740ALPbF
SiHF740AL-E3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
e
Pulsed Drain
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy
b, e
Avalanche Current
a
Repetiitive Avalanche Energy
a
Maximum Power Dissipation
Peak Diode Recovery dV/dt
c, e
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
Current
a, e
V
GS
at 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dV/dt
T
J
, T
stg
for 10 s
LIMIT
400
± 30
10
6.3
40
1.0
630
10
12.5
3.1
125
5.9
- 55 to + 150
300
d
UNIT
V
A
W/°C
mJ
A
mJ
W
V/ns
°C
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. Starting T
J
= 25 °C, L = 12.6 mH, R
g
= 25
,
I
AS
= 10 A (see fig. 12).
c. I
SD
10 A, dI/dt
330 A/μs, V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
d. 1.6 mm from case.
e. Uses IRF740A, SiHF740A data and test conditions.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply
Document Number: 91052
S11-1048-Rev. C, 30-May-11
www.vishay.com
1
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

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描述 10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA 10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA 10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA 10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA 10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA 10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA 10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA 10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
是否无铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 不符合 符合 不符合 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
零件包装代码 D2PAK TO-262AA TO-262AA D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 4 3 3 4 4 4 4 4
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
雪崩能效等级（Eas） 630 mJ 630 mJ 630 mJ 630 mJ 630 mJ 630 mJ 630 mJ 630 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A
最大漏极电流 (ID) 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A
最大漏源导通电阻 0.55 Ω 0.55 Ω 0.55 Ω 0.55 Ω 0.55 Ω 0.55 Ω 0.55 Ω 0.55 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-262AA TO-262AA TO-263AB TO-263AB TO-263AB TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e0 e3 e0 e3 e0 e0 e3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 3 3 2 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 240 260 240 260 240 240 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 125 W 125 W 125 W 125 W 125 W 125 W 125 W 125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 40 A 40 A 40 A 40 A 40 A 40 A 40 A 40 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO NO YES YES YES YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 30 40 30 40 30 30 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON

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