Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SIHF740AL-E3

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SIHF740AL-E3: 产品描述10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小215KB，共10页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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SIHF740AL-E3概述

10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA

10 A, 400 V, 0.55 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-262AA

SIHF740AL-E3规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Vishay(威世)
零件包装代码	TO-262AA
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
雪崩能效等级（Eas）	630 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	10 A
最大漏极电流 (ID)	10 A
最大漏源导通电阻	0.55 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-262AA
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	40 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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IRF740AS, SiHF740AS, IRF740AL, SiHF740AL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

PRODUCT SUMMARY

(V)

DS(on)

()

(Max.) (nC)

(nC)

Configuration

= 10 V

9.9

Single

FEATURES

400

0.55

PAK

(TO-262)

PAK

(TO-263)

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Low Gate Charge Q

Results in Simple Drive

Requirement

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

• Fully

Characterized

Capacitance

and

Avalanche Voltage and Current

• Effective C

oss

specified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High speed Power Switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

N-Channel MOSFET

• Single Transistor Flyback Xfmr. Reset

• Single Transistor Forward Xfmr. Reset (Both for US Line

Input Only)

ORDERING INFORMATION

Package

Lead (Pb)-free and Halogen-free

Lead (Pb)-free

Note

a. See device orientation.

PAK (TO-263)

SiHF740AS-GE3

IRF740ASPbF

SiHF740AS-E3

PAK (TO-263)

SiHF740ASTRL-GE3

IRF740ASTRLPbF

SiHF740ASTL-E3

PAK (TO-263)

SiHF740ASTRR-GE3

IRF740ASTRRPbF

SiHF740ASTR-E3

PAK (TO-262)

SiHF740AL-GE3

IRF740ALPbF

SiHF740AL-E3

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy

b, e

Avalanche Current

Repetiitive Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt

c, e

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

= 25 °C

Current

a, e

at 10 V

= 25 °C

= 100 °C

SYMBOL

dV/dt

, T

stg

for 10 s

LIMIT

400

± 30

6.3

1.0

630

12.5

3.1

125

5.9

- 55 to + 150

300

UNIT

W/°C

V/ns

°C

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T

= 25 °C, L = 12.6 mH, R

= 25

,

= 10 A (see fig. 12).

c. I



10 A, dI/dt



330 A/μs, V



, T



150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRF740A, SiHF740A data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91052

S11-1048-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT

www.vishay.com/doc?91000

SIHF740AL-E3相似产品对比

	SIHF740AL-E3	SIHF740AL	SIHF740AS	SIHF740AS-E3	SIHF740ASTL	SIHF740ASTL-E3	SIHF740ASTR	SIHF740ASTR-E3
描述	10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA	10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA	10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA	10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA	10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA	10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA	10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA	10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
是否无铅	不含铅	含铅	含铅	不含铅	含铅	不含铅	含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	不符合	不符合	符合	不符合	符合	不符合	符合
厂商名称	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)
零件包装代码	TO-262AA	TO-262AA	D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3	3	4	4	4	4	4	4
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
雪崩能效等级（Eas）	630 mJ	630 mJ	630 mJ	630 mJ	630 mJ	630 mJ	630 mJ	630 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	400 V	400 V	400 V	400 V	400 V	400 V	400 V	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	10 A	10 A	10 A	10 A	10 A	10 A	10 A	10 A
最大漏极电流 (ID)	10 A	10 A	10 A	10 A	10 A	10 A	10 A	10 A
最大漏源导通电阻	0.55 Ω	0.55 Ω	0.55 Ω	0.55 Ω	0.55 Ω	0.55 Ω	0.55 Ω	0.55 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-262AA	TO-262AA	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3	e0	e0	e3	e0	e3	e0	e3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	2	2	2	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	240	240	260	240	260	240	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	125 W	125 W	125 W	125 W	125 W	125 W	125 W	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	40 A	40 A	40 A	40 A	40 A	40 A	40 A	40 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40	30	30	40	30	40	30	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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