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SI7220DN

产品描述3.4 A, 60 V, 0.06 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小563KB,共12页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI7220DN概述

3.4 A, 60 V, 0.06 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

3.4 A, 60 V, 0.06 ohm, 2 通道, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

SI7220DN规格参数

参数名称属性值
端子数量6
最小击穿电压60 V
加工封装描述ROHS COMPLIANT, 1212-8, POWERPAK-8
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状SQUARE
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式C BEND
端子涂层MATTE TIN
端子位置DUAL
包装材料UNSPECIFIED
结构SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接DRAIN
元件数量2
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
场效应晶体管技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流3.4 A
额定雪崩能量6.1 mJ
最大漏极导通电阻0.0600 ohm
最大漏电流脉冲20 A

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Si7220DN
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
60
R
DS(on)
(Ω)
0.060 at V
GS
= 10 V
0.075 at V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
4.8
4.3
Q
g
(Typ.)
13
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
• TrenchFET
®
Power MOSFET
• New Low Thermal Resistance PowerPAK
®
Package,
1
/
3
the Space of An SO-8 While
Thermally Comparable
APPLICATIONS
PowerPAK 1212-8
• Synchronous Rectification
• Primary Side Switch
3.30 mm
D
1
D
2
3.30 mm
S1
1
2
G1
S2
3
4
D1
G2
8
7
D1
D2
G
1
6
5
D2
G
2
Bottom View
S
1
N-Channel MOSFET
S
2
N-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si7220DN-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si7220DN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Single Avalanche Energy
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
b, c
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
L = 0 1 mH
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
I
S
P
D
T
J
, T
stg
2.2
2.6
1.4
- 55 to 150
260
4.8
3.8
20
11
6.1
1.1
1.3
0.69
mJ
A
W
°C
10 s
60
± 20
3.4
2.7
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Case (Drain)
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJC
Typical
38
77
4.3
Maximum
48
94
5.4
°C/W
Unit
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.
Document Number: 73117
S-83052-Rev. C, 29-Dec-08
www.vishay.com
1

SI7220DN相似产品对比

SI7220DN SI7220DN_08
描述 3.4 A, 60 V, 0.06 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 3.4 A, 60 V, 0.06 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
端子数量 6 6
最小击穿电压 60 V 60 V
加工封装描述 ROHS COMPLIANT, 1212-8, POWERPAK-8 ROHS COMPLIANT, 1212-8, POWERPAK-8
无铅 Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE
包装形状 SQUARE SQUARE
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes
端子形式 C BEND C BEND
端子涂层 MATTE TIN MATTE TIN
端子位置 DUAL DUAL
包装材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
结构 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接 DRAIN DRAIN
元件数量 2 2
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
通道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式 ENHANCEMENT ENHANCEMENT
晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流 3.4 A 3.4 A
额定雪崩能量 6.1 mJ 6.1 mJ
最大漏极导通电阻 0.0600 ohm 0.0600 ohm
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