RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Motorola ( NXP ) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
针数 | 2 |
制造商包装代码 | CASE 465E-04 |
Reach Compliance Code | unknow |
其他特性 | HIGH EFFICIENCY |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 65 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | L BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFM-F2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 105 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
MRF19045R3 | MRF19045SR3 | |
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描述 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
厂商名称 | Motorola ( NXP ) | Motorola ( NXP ) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 | FLATPACK, R-CDFP-F2 |
Reach Compliance Code | unknow | unknown |
其他特性 | HIGH EFFICIENCY | HIGH EFFICIENCY |
外壳连接 | SOURCE | SOURCE |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 65 V | 65 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | L BAND | L BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFM-F2 | R-CDFP-F2 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 200 °C | 200 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLATPACK |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 105 W | 105 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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