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SN74LVC2G34DBVRE4

产品描述Dual Buffer Gate 6-SOT-23 -40 to 125
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小1MB,共25页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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SN74LVC2G34DBVRE4概述

Dual Buffer Gate 6-SOT-23 -40 to 125

SN74LVC2G34DBVRE4规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码SOT-23
包装说明LSSOP, TSOP6,.11,37
针数6
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
系列LVC/LCX/Z
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e4
长度2.9 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型BUFFER
最大I(ol)0.032 A
湿度敏感等级1
功能数量2
输入次数1
端子数量6
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LSSOP
封装等效代码TSOP6,.11,37
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
最大电源电流(ICC)0.01 mA
Prop。Delay @ Nom-Su4.1 ns
传播延迟(tpd)8.6 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度1.45 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.95 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度1.6 mm

SN74LVC2G34DBVRE4相似产品对比

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描述 Dual Buffer Gate 6-SOT-23 -40 to 125 Buffer 2-CH Non-Inverting CMOS 6-Pin SC-70 T/R Buffer 2-CH Non-Inverting CMOS 6-Pin SC-70 T/R Dual Buffer Gate 6-SOT-23 -40 to 125 Dual Buffer Gate 6-DSBGA -40 to 85 Dual Buffer Gate 6-SOT-5X3 -40 to 125 Buffer 2-CH Non-Inverting Push-Pull CMOS 6-Pin SOT-23 T/R Dual Buffer Gate 6-SOT-23 -40 to 125
Brand Name Texas Instruments - - Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments - Texas Instruments
是否无铅 不含铅 - - 不含铅 不含铅 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 - - 符合 符合 符合 - 符合
零件包装代码 SOT-23 - - SOT-23 BGA SOT - SOT-23
包装说明 LSSOP, TSOP6,.11,37 - - LSSOP, TSOP6,.11,37 DSBGA-6 VSOF, FL6,.047,20 - LSSOP, TSOP6,.11,37
针数 6 - - 6 6 6 - 6
Reach Compliance Code compli - - compli compli compli - compli
ECCN代码 EAR99 - - EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99
Factory Lead Time 6 weeks - - 1 week 1 week 1 week - 6 weeks
系列 LVC/LCX/Z - - LVC/LCX/Z LVC/LCX/Z LVC/LCX/Z - LVC/LCX/Z
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 - - R-PDSO-G6 R-XBGA-B6 R-PDSO-F6 - R-PDSO-G6
JESD-609代码 e4 - - e4 e1 e4 - e4
长度 2.9 mm - - 2.9 mm 1.4 mm 1.6 mm - 2.9 mm
负载电容(CL) 50 pF - - 50 pF 50 pF 50 pF - 50 pF
逻辑集成电路类型 BUFFER - - BUFFER BUFFER BUFFER - BUFFER
最大I(ol) 0.032 A - - 0.032 A 0.032 A 0.032 A - 0.032 A
湿度敏感等级 1 - - 1 1 1 - 1
功能数量 2 - - 2 2 2 - 2
输入次数 1 - - 1 1 1 - 1
端子数量 6 - - 6 6 6 - 6
最高工作温度 125 °C - - 125 °C 85 °C 125 °C - 125 °C
最低工作温度 -40 °C - - -40 °C -40 °C -40 °C - -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 LSSOP - - LSSOP VFBGA VSOF - LSSOP
封装等效代码 TSOP6,.11,37 - - TSOP6,.11,37 BGA6,2X3,20 FL6,.047,20 - TSOP6,.11,37
封装形状 RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH - - SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法 TR - - TR TR TR - TR
峰值回流温度(摄氏度) 260 - - 260 260 260 - 260
电源 3.3 V - - 3.3 V 3.3 V 3.3 V - 3.3 V
最大电源电流(ICC) 0.01 mA - - 0.01 mA 0.01 mA 0.01 mA - 0.01 mA
Prop。Delay @ Nom-Su 4.1 ns - - 4.1 ns 4.1 ns 9.6 ns - 4.1 ns
传播延迟(tpd) 8.6 ns - - 8.6 ns 8.6 ns 9.6 ns - 8.6 ns
认证状态 Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
施密特触发器 NO - - NO NO NO - NO
座面最大高度 1.45 mm - - 1.45 mm 0.5 mm 0.6 mm - 1.45 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - - 5.5 V 5.5 V 5.5 V - 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.65 V - - 1.65 V 1.65 V 1.65 V - 1.65 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V - - 1.8 V 1.8 V 1.8 V - 1.8 V
表面贴装 YES - - YES YES YES - YES
技术 CMOS - - CMOS CMOS CMOS - CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE - - AUTOMOTIVE INDUSTRIAL AUTOMOTIVE - AUTOMOTIVE
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) - - Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) - Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING - - GULL WING BALL FLAT - GULL WING
端子节距 0.95 mm - - 0.95 mm 0.5 mm 0.5 mm - 0.95 mm
端子位置 DUAL - - DUAL BOTTOM DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
宽度 1.6 mm - - 1.6 mm 0.9 mm 1.2 mm - 1.6 mm

 
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