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TBME687J004LBSB0823

产品描述Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 4V, 5% +Tol, 5% -Tol, 680uF, Surface Mount, 2917, CHIP
产品类别无源元件    电容器   
文件大小74KB,共3页
制造商AVX
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TBME687J004LBSB0823概述

Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 4V, 5% +Tol, 5% -Tol, 680uF, Surface Mount, 2917, CHIP

TBME687J004LBSB0823规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明, 2917
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
电容680 µF
电容器类型TANTALUM CAPACITOR
介电材料TANTALUM (DRY/SOLID)
ESR18 mΩ
高度4.1 mm
JESD-609代码e0
漏电流0.027 mA
长度7.3 mm
制造商序列号TBM
安装特点SURFACE MOUNT
负容差5%
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装形状RECTANGULAR PACKAGE
封装形式SMT
包装方法BULK
极性POLARIZED
正容差5%
额定(直流)电压(URdc)4 V
参考标准MIL-PRF-55365
纹波电流3486 mA
系列TBM
尺寸代码2917
表面贴装YES
Delta切线0.06
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形状J BEND
宽度4.3 mm

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TBM Multianode
Tantalum Ultra Low ESR COTS-Plus Weibull Grade & Space Level
TBM COTS-Plus series uses an internal
multi-anode design to achieve ultra-low
ESR which improves performance in
high ripple power applications.
TBM is available with Weibull Grade “B”
reliability and all MIL-PRF-55365 surge
test options (“A”, “B” & “C”).
There are four termination finishes
available: solder plated, fused solder
plated, hot solder dipped and gold plat-
ed (these correspond to “H”, “K”, “C”
and “B” termination, respectively, per
MIL-PRF-55365).
The molding compound has been
selected to meet the requirements
of UL94V-0 (Flame Retardancy) and
outgassing requirements of NASA
SP-R-0022A.
L
W
CASE DIMENSIONS:
millimeters (inches)
H
Code
A
S
A
W
1
L±0.20 (0.008)
7.30 (0.287)
W+0.20 (0.008)
–0.10 (0.004)
4.30 (0.169)
H+0.20 (0.008)
–0.10 (0.004)
4.10 (0.162)
W1 ±0.20
(0.008)
2.40 (0.094)
A+0.30 (0.012)
–0.20 (0.008)
1.30 (0.051)
S Min.
4.40 (0.173)
E
W
1
dimension applies to the termination width for A dimensional area only.
CAPACITANCE AND RATED VOLTAGE RANGE
LETTER DENOTES CASE SIZE ESR LIMIT IN BRACKETS
Capacitance
μF
Code
10
15
22
33
47
68
100
150
220
330
470
680
1000
1500
106
156
226
336
476
686
107
157
227
337
477
687
108
158
2.5V (e)
4V (G)
Rated Voltage DC (V
R
) to 85°C
6V (J)
10V (A)
16V (C)
20V (D)
25V (E)
35V (V)
E(60)
E(50)
E(55)
E(45)
E(35)
E(30)
E(25)
E(18)
E(18), V(23)
E(23)
E(23)
E(12)
E(18)
E(18), V(18)
E(15)
NOTE: EIA standards for Low ESR solid tantalum capacitors allow an ESR movement of 1.25 times initial limit post mounting.
TBM MULTIANODE CONSTRUCTION
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