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PDTA143ZU

产品描述PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小98KB,共14页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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PDTA143ZU概述

PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm

PDTA143ZU规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

PDTA143ZU相似产品对比

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描述 PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合 符合 - 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) - NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) - NXP(恩智浦)
零件包装代码 SOT-23 - SC-75 SC-89 SOT-23 SC-101 - D2PAK
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 - PLASTIC, SC-75, 3 PIN PLASTIC, SC-89, 3 PIN SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, SC-101, 3 PIN - PLASTIC PACKAGE-3
针数 3 - 3 3 3 3 - 3
Reach Compliance Code compli - compli unknow unknow compli - compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10 - BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10 - BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10
最大集电极电流 (IC) 0.1 A - 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A - 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V - 50 V 50 V 50 V 50 V - 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR - SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR - SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 100 - 100 100 100 100 - 100
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3 R-PDSO-F3 R-PDSO-G3 R-PBCC-N3 - R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 - e3 e3 e3 e3 - e3
元件数量 1 - 1 1 1 1 - 1
端子数量 3 - 3 3 3 3 - 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C - 150 °C 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE CHIP CARRIER - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260 NOT SPECIFIED 260 260 - 260
极性/信道类型 PNP - PNP PNP PNP PNP - PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W - 0.15 W - 0.25 W 0.25 W - 0.25 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES - YES YES YES YES - YES
端子面层 Tin (Sn) - Tin (Sn) TIN Tin (Sn) Tin (Sn) - Tin (Sn)
端子形式 GULL WING - GULL WING FLAT GULL WING NO LEAD - GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL BOTTOM - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 - 30 NOT SPECIFIED 40 30 - 30
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON - SILICON

 
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