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PDTA143ZM: 产品描述PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小98KB，共14页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

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PDTA143ZM概述

PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm

PDTA143ZM规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SC-101
包装说明	1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, SC-101, 3 PIN
针数	3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	100
JESD-30 代码	R-PBCC-N3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.25 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

PDTA143ZM相似产品对比

	PDTA143ZM	PDTA143Z	PDTA143ZE	PDTA143ZEF	PDTA143ZK	PDTA143ZS	PDTA143ZT	PDTA143ZU
描述	PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm	PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm	PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm	PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm	PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm	PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm	PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm	PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = 47 kOhm
是否Rohs认证	符合	-	符合	符合	符合	-	符合	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)	-	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	-	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SC-101	-	SC-75	SC-89	SOT-23	-	D2PAK	SOT-23
包装说明	1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, SC-101, 3 PIN	-	PLASTIC, SC-75, 3 PIN	PLASTIC, SC-89, 3 PIN	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	-	PLASTIC PACKAGE-3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	-	3	3	3	-	3	3
Reach Compliance Code	compli	-	compli	unknow	unknow	-	compli	compli
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10	-	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10	-	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	-	0.1 A	0.1 A	0.1 A	-	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	-	50 V	50 V	50 V	-	50 V	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	-	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	-	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	100	-	100	100	100	-	100	100
JESD-30 代码	R-PBCC-N3	-	R-PDSO-G3	R-PDSO-F3	R-PDSO-G3	-	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3	-	e3	e3	e3	-	e3	e3
元件数量	1	-	1	1	1	-	1	1
端子数量	3	-	3	3	3	-	3	3
最高工作温度	150 °C	-	150 °C	-	150 °C	-	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	260	NOT SPECIFIED	260	-	260	260
极性/信道类型	PNP	-	PNP	PNP	PNP	-	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.25 W	-	0.15 W	-	0.25 W	-	0.25 W	0.2 W
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	-	YES	YES
端子面层	Tin (Sn)	-	Tin (Sn)	TIN	Tin (Sn)	-	Tin (Sn)	Tin (Sn)
端子形式	NO LEAD	-	GULL WING	FLAT	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING
端子位置	BOTTOM	-	DUAL	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	-	30	NOT SPECIFIED	40	-	30	30
晶体管应用	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON

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