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BFY183P

产品描述HiRel NPN Silicon RF Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小42KB,共5页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BFY183P概述

HiRel NPN Silicon RF Transistor

BFY183P规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明MICROWAVE, X-CXMW-F4
针数4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
外壳连接EMITTER
最大集电极电流 (IC)0.065 A
基于收集器的最大容量0.44 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)55
最高频带L BAND
JESD-30 代码X-CXMW-F4
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式MICROWAVE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式FLAT
端子位置UNSPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)8000 MHz

BFY183P相似产品对比

BFY183P BFY183ES BFY183 BFY183H BFY183S
描述 HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRel NPN Silicon RF Transistor
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 MICROWAVE, X-CXMW-F4 MICROWAVE, X-CXMW-F4 HERMETIC SEALED, MICRO-X1, 4 PIN HERMETIC SEALED, MICRO-X-4 MICROWAVE, X-CXMW-F4
针数 4 4 4 4 4
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.065 A 0.065 A 0.065 A 0.065 A 0.065 A
基于收集器的最大容量 0.44 pF 0.44 pF 0.44 pF 0.44 pF 0.44 pF
集电极-发射极最大电压 12 V 12 V 12 V 12 V 12 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最高频带 L BAND L BAND L BAND L BAND L BAND
JESD-30 代码 X-CXMW-F4 X-CXMW-F4 O-CRDB-F4 X-CXMW-F4 X-CXMW-F4
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4 4
最高工作温度 200 °C 200 °C 150 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 UNSPECIFIED UNSPECIFIED ROUND UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形式 MICROWAVE MICROWAVE DISK BUTTON MICROWAVE MICROWAVE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 UNSPECIFIED UNSPECIFIED RADIAL UNSPECIFIED UNSPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 8000 MHz 8000 MHz 8000 MHz 8000 MHz 8000 MHz
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE - LOW NOISE LOW NOISE
外壳连接 EMITTER EMITTER - EMITTER EMITTER
最小直流电流增益 (hFE) 55 55 - 55 55

 
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