BFY183,BFY183 pdf中文资料,BFY183引脚图,BFY183电路-Datasheet-电子工程世界

BFY183: 产品描述HiRel NPN Silicon RF Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小42KB，共5页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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BFY183概述

HiRel NPN Silicon RF Transistor

BFY183规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	HERMETIC SEALED, MICRO-X1, 4 PIN
针数	4
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.065 A
基于收集器的最大容量	0.44 pF
集电极-发射极最大电压	12 V
配置	SINGLE
最高频带	L BAND
JESD-30 代码	O-CRDB-F4
元件数量	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	DISK BUTTON
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	RADIAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	8000 MHz

BFY183相似产品对比

	BFY183	BFY183ES	BFY183P	BFY183H	BFY183S
描述	HiRel NPN Silicon RF Transistor	HiRel NPN Silicon RF Transistor	HiRel NPN Silicon RF Transistor	HiRel NPN Silicon RF Transistor	HiRel NPN Silicon RF Transistor
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
包装说明	HERMETIC SEALED, MICRO-X1, 4 PIN	MICROWAVE, X-CXMW-F4	MICROWAVE, X-CXMW-F4	HERMETIC SEALED, MICRO-X-4	MICROWAVE, X-CXMW-F4
针数	4	4	4	4	4
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.065 A	0.065 A	0.065 A	0.065 A	0.065 A
基于收集器的最大容量	0.44 pF	0.44 pF	0.44 pF	0.44 pF	0.44 pF
集电极-发射极最大电压	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最高频带	L BAND	L BAND	L BAND	L BAND	L BAND
JESD-30 代码	O-CRDB-F4	X-CXMW-F4	X-CXMW-F4	X-CXMW-F4	X-CXMW-F4
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	4	4	4	4	4
最高工作温度	150 °C	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形式	DISK BUTTON	MICROWAVE	MICROWAVE	MICROWAVE	MICROWAVE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	RADIAL	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	8000 MHz	8000 MHz	8000 MHz	8000 MHz	8000 MHz
其他特性	-	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE
外壳连接	-	EMITTER	EMITTER	EMITTER	EMITTER
最小直流电流增益 (hFE)	-	55	55	55	55

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