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NMC9306EM8

产品描述256-Bit Serial Electrically Erasable Programmable Memory
产品类别存储    存储   
文件大小189KB,共7页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数 选型对比

NMC9306EM8概述

256-Bit Serial Electrically Erasable Programmable Memory

NMC9306EM8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
包装说明SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)0.25 MHz
数据保留时间-最小值10
耐久性40000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
长度4.9 mm
内存密度256 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量8
字数16 words
字数代码16
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16X16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
串行总线类型MICROWIRE
最大待机电流0.003 A
最大压摆率0.012 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术NMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)30 ms
写保护SOFTWARE
Base Number Matches1

NMC9306EM8相似产品对比

NMC9306EM8 NMC9306 NMC9306EN NMC9306M8 NMC9306N
描述 256-Bit Serial Electrically Erasable Programmable Memory 256-Bit Serial Electrically Erasable Programmable Memory 256-Bit Serial Electrically Erasable Programmable Memory 256-Bit Serial Electrically Erasable Programmable Memory 256-Bit Serial Electrically Erasable Programmable Memory
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 National Semiconductor(TI ) - National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI )
包装说明 SOP, SOP8,.25 - PLASTIC, DIP-8 SOP, SOP8,.25 PLASTIC, DIP-8
Reach Compliance Code unknown - unknown unknow unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 0.25 MHz - 0.25 MHz 0.25 MHz 0.25 MHz
数据保留时间-最小值 10 - 10 10 10
耐久性 40000 Write/Erase Cycles - 40000 Write/Erase Cycles 40000 Write/Erase Cycles 40000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 - R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8
JESD-609代码 e0 - e0 e0 e0
长度 4.9 mm - 9.817 mm 4.9 mm 9.817 mm
内存密度 256 bit - 256 bit 256 bi 256 bi
内存集成电路类型 EEPROM - EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 16 - 16 16 16
功能数量 1 - 1 1 1
端子数量 8 - 8 8 8
字数 16 words - 16 words 16 words 16 words
字数代码 16 - 16 16 16
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - 85 °C 70 °C 70 °C
组织 16X16 - 16X16 16X16 16X16
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP - DIP SOP DIP
封装等效代码 SOP8,.25 - DIP8,.3 SOP8,.25 DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 SERIAL - SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V - 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm - 5.08 mm 1.75 mm 5.08 mm
串行总线类型 MICROWIRE - MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE
最大待机电流 0.003 A - 0.003 A 0.003 A 0.003 A
最大压摆率 0.012 mA - 0.012 mA 0.01 mA 0.01 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V - 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES - NO YES NO
技术 NMOS - NMOS NMOS NMOS
温度等级 INDUSTRIAL - INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING - THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm - 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 3.9 mm - 7.62 mm 3.9 mm 7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC) 30 ms - 30 ms 30 ms 30 ms
写保护 SOFTWARE - SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE

 
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