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NMC9306

产品描述256-Bit Serial Electrically Erasable Programmable Memory
文件大小189KB,共7页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
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NMC9306概述

256-Bit Serial Electrically Erasable Programmable Memory

NMC9306相似产品对比

NMC9306 NMC9306EM8 NMC9306EN NMC9306M8 NMC9306N
描述 256-Bit Serial Electrically Erasable Programmable Memory 256-Bit Serial Electrically Erasable Programmable Memory 256-Bit Serial Electrically Erasable Programmable Memory 256-Bit Serial Electrically Erasable Programmable Memory 256-Bit Serial Electrically Erasable Programmable Memory
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 - National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI )
包装说明 - SOP, SOP8,.25 PLASTIC, DIP-8 SOP, SOP8,.25 PLASTIC, DIP-8
Reach Compliance Code - unknown unknown unknow unknow
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) - 0.25 MHz 0.25 MHz 0.25 MHz 0.25 MHz
数据保留时间-最小值 - 10 10 10 10
耐久性 - 40000 Write/Erase Cycles 40000 Write/Erase Cycles 40000 Write/Erase Cycles 40000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 - R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8
JESD-609代码 - e0 e0 e0 e0
长度 - 4.9 mm 9.817 mm 4.9 mm 9.817 mm
内存密度 - 256 bit 256 bit 256 bi 256 bi
内存集成电路类型 - EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 - 16 16 16 16
功能数量 - 1 1 1 1
端子数量 - 8 8 8 8
字数 - 16 words 16 words 16 words 16 words
字数代码 - 16 16 16 16
工作模式 - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 - 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C
组织 - 16X16 16X16 16X16 16X16
输出特性 - 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 - SOP DIP SOP DIP
封装等效代码 - SOP8,.25 DIP8,.3 SOP8,.25 DIP8,.3
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 - SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 - 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 - 1.75 mm 5.08 mm 1.75 mm 5.08 mm
串行总线类型 - MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE
最大待机电流 - 0.003 A 0.003 A 0.003 A 0.003 A
最大压摆率 - 0.012 mA 0.012 mA 0.01 mA 0.01 mA
最大供电电压 (Vsup) - 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) - 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) - 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 - YES NO YES NO
技术 - NMOS NMOS NMOS NMOS
温度等级 - INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 - GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 - 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 - DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 - 3.9 mm 7.62 mm 3.9 mm 7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC) - 30 ms 30 ms 30 ms 30 ms
写保护 - SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE
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