32,768-Bit (4096 x 8) CMOS EPROM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | WDIP, DIP24,.6 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 150 ns |
| 其他特性 | TTL/CMOS COMPATIBLE INPUT & OUTPUT LEVELS |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T24 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 32768 bi |
| 内存集成电路类型 | UVPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 24 |
| 字数 | 4096 words |
| 字数代码 | 4000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 4KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | WDIP |
| 封装等效代码 | DIP24,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.969 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 15.24 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| NMC27C32BQ150 | NMC27C32B | NMC27C32BQ | NMC27C32BQ200 | NMC27C32BQ250 | NMC27C32BQE200 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 32,768-Bit (4096 x 8) CMOS EPROM | 32,768-Bit (4096 x 8) CMOS EPROM | 32,768-Bit (4096 x 8) CMOS EPROM | 32,768-Bit (4096 x 8) CMOS EPROM | 32,768-Bit (4096 x 8) CMOS EPROM | 32,768-Bit (4096 x 8) CMOS EPROM |
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