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NGB8206ANTF4G

产品描述Ignition IGBT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小118KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NGB8206ANTF4G概述

Ignition IGBT

NGB8206ANTF4G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
针数3
制造商包装代码418B-04
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time1 week
最大集电极电流 (IC)20 A
集电极-发射极最大电压390 V
最大降落时间(tf)14000 ns
门极发射器阈值电压最大值2.1 V
门极-发射极最大电压15 V
JESD-609代码e3
最高工作温度175 °C
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W
最大上升时间(tr)8000 ns
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

NGB8206ANTF4G相似产品对比

NGB8206ANTF4G NGB8206AN NGB8206N_11 NGB8206ANSL3G NGB8206ANT4G
描述 Ignition IGBT Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK Ignition IGBT Ignition IGBT
Brand Name ON Semiconductor - - ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 - - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 - - 符合 符合
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) - - ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
针数 3 - - 3 3
制造商包装代码 418B-04 - - 418B-04 418B-04
Reach Compliance Code compliant - - compliant compliant
Factory Lead Time 1 week - - 1 week 1 week
最大集电极电流 (IC) 20 A - - 20 A 20 A
集电极-发射极最大电压 390 V - - 390 V 390 V
最大降落时间(tf) 14000 ns - - 14000 ns 14000 ns
门极发射器阈值电压最大值 2.1 V - - 2.1 V 2.1 V
门极-发射极最大电压 15 V - - 15 V 15 V
JESD-609代码 e3 - - e3 e3
最高工作温度 175 °C - - 175 °C 175 °C
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL - - N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W - - 150 W 150 W
最大上升时间(tr) 8000 ns - - 8000 ns 8000 ns
表面贴装 YES - - YES YES
端子面层 MATTE TIN - - MATTE TIN MATTE TIN
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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