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NGB8206N_11: 产品描述Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK; 文件大小118KB，共8页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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NGB8206N_11概述

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK

	NGB8206N_11	NGB8206AN	NGB8206ANSL3G	NGB8206ANT4G	NGB8206ANTF4G
描述	Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK	Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK	Ignition IGBT	Ignition IGBT	Ignition IGBT
Brand Name	-	-	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
是否无铅	-	-	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	-	-	符合	符合	符合
厂商名称	-	-	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)
针数	-	-	3	3	3
制造商包装代码	-	-	418B-04	418B-04	418B-04
Reach Compliance Code	-	-	compliant	compliant	compliant
Factory Lead Time	-	-	1 week	1 week	1 week
最大集电极电流 (IC)	-	-	20 A	20 A	20 A
集电极-发射极最大电压	-	-	390 V	390 V	390 V
最大降落时间（tf）	-	-	14000 ns	14000 ns	14000 ns
门极发射器阈值电压最大值	-	-	2.1 V	2.1 V	2.1 V
门极-发射极最大电压	-	-	15 V	15 V	15 V
JESD-609代码	-	-	e3	e3	e3
最高工作温度	-	-	175 °C	175 °C	175 °C
峰值回流温度（摄氏度）	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	-	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	-	-	150 W	150 W	150 W
最大上升时间（tr）	-	-	8000 ns	8000 ns	8000 ns
表面贴装	-	-	YES	YES	YES
端子面层	-	-	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN
处于峰值回流温度下的最长时间	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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