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BFG67W

产品描述NPN 8 GHz wideband transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小101KB,共16页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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BFG67W概述

NPN 8 GHz wideband transistor

BFG67W规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.05 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)60
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.5 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

BFG67W相似产品对比

BFG67W BFG67W/X BFG67W/XR
描述 NPN 8 GHz wideband transistor NPN 8 GHz wideband transistor NPN 8 GHz wideband transistor
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A 0.05 A
配置 Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 60 60 60
JESD-609代码 e0 e0 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.5 W 0.5 W 0.5 W
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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