MM74HC51J,MM74HC51J pdf中文资料,MM74HC51J引脚图,MM74HC51J电路-Datasheet-电子工程世界

MM74HC51J: 产品描述Dual AND-OR-Invert Gate / Dual AND-OR Gate; 产品类别逻辑逻辑; 文件大小126KB，共4页; 制造商National Semiconductor（TI ）; 官网地址http://www.ti.com

敬请期待详细参数选型对比

MM74HC51J概述

Dual AND-OR-Invert Gate / Dual AND-OR Gate

MM74HC51J规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	National Semiconductor（TI ）
包装说明	DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Code	unknow
其他特性	ASYMMETRICAL I/P\'S
系列	HC/UH
JESD-30 代码	R-GDIP-T14
JESD-609代码	e0
长度	19.43 mm
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	AND-OR-INVERT GATE
功能数量	2
输入次数	6
端子数量	14
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP14,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2/6 V
传播延迟（tpd）	32 ns
认证状态	Not Qualified
施密特触发器	NO
座面最大高度	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	6 V
最小供电电压 (Vsup)	2 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm

MM74HC51J相似产品对比

	MM74HC51J	MM54HC51	MM54HC51J	MM54HC58J	MM74HC51N	MM74HC58J	MM74HC58N
描述	Dual AND-OR-Invert Gate / Dual AND-OR Gate	Dual AND-OR-Invert Gate / Dual AND-OR Gate	Dual AND-OR-Invert Gate / Dual AND-OR Gate	Dual AND-OR-Invert Gate / Dual AND-OR Gate	Dual AND-OR-Invert Gate / Dual AND-OR Gate	Dual AND-OR-Invert Gate / Dual AND-OR Gate	Dual AND-OR-Invert Gate / Dual AND-OR Gate
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	National Semiconductor（TI ）	-	National Semiconductor（TI ）	National Semiconductor（TI ）	National Semiconductor（TI ）	National Semiconductor（TI ）	National Semiconductor（TI ）
包装说明	DIP, DIP14,.3	-	CERAMIC, DIP-14	DIP, DIP14,.3	DIP, DIP14,.3	DIP, DIP14,.3	DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow	unknow	unknown	unknow
其他特性	ASYMMETRICAL I/P\'S	-	ASYMMETRICAL INPUTS	ASYMMETRICAL INPUTS	ASYMMETRICAL INPUTS	ASYMMETRICAL I/P\'S	ASYMMETRICAL INPUTS
系列	HC/UH	-	HC/UH	HC/UH	HC/UH	HC/UH	HC/UH
JESD-30 代码	R-GDIP-T14	-	R-GDIP-T14	R-GDIP-T14	R-PDIP-T14	R-GDIP-T14	R-PDIP-T14
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	e0	e0	e0
长度	19.43 mm	-	19.43 mm	19.43 mm	19.215 mm	19.43 mm	19.215 mm
负载电容（CL）	50 pF	-	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF
逻辑集成电路类型	AND-OR-INVERT GATE	-	AND-OR-INVERT GATE	AND-OR GATE	AND-OR-INVERT GATE	AND-OR GATE	AND-OR GATE
功能数量	2	-	2	2	2	2	2
输入次数	6	-	6	6	6	6	6
端子数量	14	-	14	14	14	14	14
最高工作温度	85 °C	-	125 °C	125 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-55 °C	-55 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	-	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	-	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP14,.3	-	DIP14,.3	DIP14,.3	DIP14,.3	DIP14,.3	DIP14,.3
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	-	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	2/6 V	-	2/6 V	2/6 V	2/6 V	2/6 V	2/6 V
传播延迟（tpd）	32 ns	-	37 ns	37 ns	32 ns	32 ns	32 ns
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
施密特触发器	NO	-	NO	NO	NO	NO	NO
座面最大高度	5.08 mm	-	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	6 V	-	6 V	6 V	6 V	6 V	6 V
最小供电电压 (Vsup)	2 V	-	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	-	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	-	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	-	MILITARY	MILITARY	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	-	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	-	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm	-	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm

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