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MM54HC51

产品描述Dual AND-OR-Invert Gate / Dual AND-OR Gate
文件大小126KB,共4页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
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MM54HC51概述

Dual AND-OR-Invert Gate / Dual AND-OR Gate

MM54HC51相似产品对比

MM54HC51 MM54HC51J MM54HC58J MM74HC51J MM74HC51N MM74HC58J MM74HC58N
描述 Dual AND-OR-Invert Gate / Dual AND-OR Gate Dual AND-OR-Invert Gate / Dual AND-OR Gate Dual AND-OR-Invert Gate / Dual AND-OR Gate Dual AND-OR-Invert Gate / Dual AND-OR Gate Dual AND-OR-Invert Gate / Dual AND-OR Gate Dual AND-OR-Invert Gate / Dual AND-OR Gate Dual AND-OR-Invert Gate / Dual AND-OR Gate
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 - National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI )
包装说明 - CERAMIC, DIP-14 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Code - unknow unknow unknow unknow unknown unknow
其他特性 - ASYMMETRICAL INPUTS ASYMMETRICAL INPUTS ASYMMETRICAL I/P\'S ASYMMETRICAL INPUTS ASYMMETRICAL I/P\'S ASYMMETRICAL INPUTS
系列 - HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH
JESD-30 代码 - R-GDIP-T14 R-GDIP-T14 R-GDIP-T14 R-PDIP-T14 R-GDIP-T14 R-PDIP-T14
JESD-609代码 - e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 - 19.43 mm 19.43 mm 19.43 mm 19.215 mm 19.43 mm 19.215 mm
负载电容(CL) - 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 - AND-OR-INVERT GATE AND-OR GATE AND-OR-INVERT GATE AND-OR-INVERT GATE AND-OR GATE AND-OR GATE
功能数量 - 2 2 2 2 2 2
输入次数 - 6 6 6 6 6 6
端子数量 - 14 14 14 14 14 14
最高工作温度 - 125 °C 125 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 - -55 °C -55 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 - CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY
封装代码 - DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 - DIP14,.3 DIP14,.3 DIP14,.3 DIP14,.3 DIP14,.3 DIP14,.3
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 - 2/6 V 2/6 V 2/6 V 2/6 V 2/6 V 2/6 V
传播延迟(tpd) - 37 ns 37 ns 32 ns 32 ns 32 ns 32 ns
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 - NO NO NO NO NO NO
座面最大高度 - 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) - 6 V 6 V 6 V 6 V 6 V 6 V
最小供电电压 (Vsup) - 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
标称供电电压 (Vsup) - 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 - NO NO NO NO NO NO
技术 - CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 - MILITARY MILITARY INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 - 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 - DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 - 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm

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