13-Input NAND Gate
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 系列 | HC/UH |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 19.43 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
| 功能数量 | 1 |
| 输入次数 | 13 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 2/6 V |
| 传播延迟（tpd） | 190 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| MM74HC133J | MM54HC133 | MM74HC133 | MM74HC133N | MM54HC133J | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 13-Input NAND Gate | 13-Input NAND Gate | 13-Input NAND Gate | 13-Input NAND Gate | 13-Input NAND Gate |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | - | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） | - | - | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 | - | - | DIP, DIP16,.3 | CERAMIC, DIP-16 |
| Reach Compliance Code | unknow | - | - | unknow | unknow |
| 系列 | HC/UH | - | - | HC/UH | HC/UH |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 | - | - | R-PDIP-T16 | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 | - | - | e0 | e0 |
| 长度 | 19.43 mm | - | - | 19.305 mm | 19.43 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | - | - | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE | - | - | NAND GATE | NAND GATE |
| 功能数量 | 1 | - | - | 1 | 1 |
| 输入次数 | 13 | - | - | 13 | 13 |
| 端子数量 | 16 | - | - | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 85 °C | - | - | 85 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | - | - | -40 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | - | - | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | - | - | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | - | - | DIP16,.3 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | - | - | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 2/6 V | - | - | 2/6 V | 2/6 V |
| 传播延迟（tpd） | 190 ns | - | - | 190 ns | 220 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | - | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO | - | - | NO | NO |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | - | - | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6 V | - | - | 6 V | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2 V | - | - | 2 V | 2 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 4.5 V | - | - | 4.5 V | 4.5 V |
| 表面贴装 | NO | - | - | NO | NO |
| 技术 | CMOS | - | - | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | - | - | INDUSTRIAL | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | - | - | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | - | - | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | - | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm | - | - | 7.62 mm | 7.62 mm |
嵌入式系统
stm32/stm8
ARM技术
Linux开发
无线连接
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