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MM74HC133

产品描述13-Input NAND Gate
文件大小138KB,共4页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 选型对比

MM74HC133概述

13-Input NAND Gate

MM74HC133相似产品对比

MM74HC133 MM54HC133 MM74HC133J MM74HC133N MM54HC133J
描述 13-Input NAND Gate 13-Input NAND Gate 13-Input NAND Gate 13-Input NAND Gate 13-Input NAND Gate
是否Rohs认证 - - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 - - National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI )
包装说明 - - DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 CERAMIC, DIP-16
Reach Compliance Code - - unknow unknow unknow
系列 - - HC/UH HC/UH HC/UH
JESD-30 代码 - - R-GDIP-T16 R-PDIP-T16 R-GDIP-T16
JESD-609代码 - - e0 e0 e0
长度 - - 19.43 mm 19.305 mm 19.43 mm
负载电容(CL) - - 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 - - NAND GATE NAND GATE NAND GATE
功能数量 - - 1 1 1
输入次数 - - 13 13 13
端子数量 - - 16 16 16
最高工作温度 - - 85 °C 85 °C 125 °C
最低工作温度 - - -40 °C -40 °C -55 °C
封装主体材料 - - CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 - - DIP DIP DIP
封装等效代码 - - DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3
封装形状 - - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - - IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 - - 2/6 V 2/6 V 2/6 V
传播延迟(tpd) - - 190 ns 190 ns 220 ns
认证状态 - - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 - - NO NO NO
座面最大高度 - - 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) - - 6 V 6 V 6 V
最小供电电压 (Vsup) - - 2 V 2 V 2 V
标称供电电压 (Vsup) - - 4.5 V 4.5 V 4.5 V
表面贴装 - - NO NO NO
技术 - - CMOS CMOS CMOS
温度等级 - - INDUSTRIAL INDUSTRIAL MILITARY
端子面层 - - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 - - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 - - 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 - - DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 - - 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm

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