Dual 4-Channel TRI-STATE-R Multiplexer
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 系列 | HCT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 19.43 mm |
| 逻辑集成电路类型 | MULTIPLEXER |
| 功能数量 | 2 |
| 输入次数 | 4 |
| 输出次数 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 传播延迟（tpd） | 60 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| MM54HCT253J | MM74HCT253J | MM74HCT253N | MM54HCT253 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Dual 4-Channel TRI-STATE-R Multiplexer | Dual 4-Channel TRI-STATE-R Multiplexer | Dual 4-Channel TRI-STATE-R Multiplexer | Dual 4-Channel TRI-STATE-R Multiplexer |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | - |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | - |
| Reach Compliance Code | unknown | unknow | unknow | - |
| 系列 | HCT | HCT | HCT | - |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 | R-GDIP-T16 | R-PDIP-T16 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | - |
| 长度 | 19.43 mm | 19.43 mm | 19.305 mm | - |
| 逻辑集成电路类型 | MULTIPLEXER | MULTIPLEXER | MULTIPLEXER | - |
| 功能数量 | 2 | 2 | 2 | - |
| 输入次数 | 4 | 4 | 4 | - |
| 输出次数 | 1 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 16 | 16 | 16 | - |
| 最高工作温度 | 125 °C | 85 °C | 85 °C | - |
| 最低工作温度 | -55 °C | -40 °C | -40 °C | - |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | - |
| 输出极性 | TRUE | TRUE | TRUE | - |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP | - |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | - |
| 传播延迟（tpd） | 60 ns | 50 ns | 50 ns | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | 5.08 mm | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | - |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | - |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | - |
| 温度等级 | MILITARY | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | - |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm | - |
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