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EDI88128C70CM

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
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文件大小387KB,共8页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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EDI88128C70CM概述

Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

EDI88128C70CM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
其他特性AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDIP-T32
长度40.64 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.937 mm
最大待机电流0.005 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.095 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
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