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LM6142BIN

产品描述DUAL OP-AMP, 2500 uV OFFSET-MAX, 9 MHz BAND WIDTH, PDIP8
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小405KB,共15页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
相似器件已查找到8个与LM6142BIN功能相似器件
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LM6142BIN概述

DUAL OP-AMP, 2500 uV OFFSET-MAX, 9 MHz BAND WIDTH, PDIP8

双运算放大器, 2500 uV 最大补偿, 9 MHz 波段 宽度, PDIP8

LM6142BIN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
零件包装代码DIP
包装说明PLASTIC, DIP-8
针数8
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.3 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.3 µA
标称共模抑制比76 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压2500 µV
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e0
长度9.817 mm
低-偏置NO
低-失调NO
微功率NO
湿度敏感等级1
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量2
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
包装方法RAIL
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源1.8/24 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最小摆率11 V/us
标称压摆率5 V/us
最大压摆率2.3 mA
供电电压上限35 V
标称供电电压 (Vsup)2.7 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
标称均一增益带宽9000 kHz
最小电压增益25000
宽带NO
宽度7.62 mm

与LM6142BIN功能相似器件

器件名 厂商 描述
LM6142AMJ-QML Texas Instruments(德州仪器) DUAL OP-AMP, 2500uV OFFSET-MAX, 6MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERAMIC, DIP-8
LM6142AMJ-MLS Texas Instruments(德州仪器) DUAL OP-AMP, CDIP8, CERDIP-8
5962-9550301QPA Texas Instruments(德州仪器) DUAL OP-AMP, 2500uV OFFSET-MAX, 6MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERAMIC, DIP-8
LM6142AMJ/883 Texas Instruments(德州仪器) DUAL OP-AMP, 4800uV OFFSET-MAX, 18MHz BAND WIDTH, CDIP8, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-8
LM6142BIN/NOPB National Semiconductor(TI ) IC DUAL OP-AMP, 2500 uV OFFSET-MAX, 9 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Operational Amplifier
LM6142AMJ-MLS/NOPB Texas Instruments(德州仪器) DUAL OP-AMP, CDIP8, CERDIP-8
LM6142BIN Rochester Electronics DUAL OP-AMP, 2500uV OFFSET-MAX, 9MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
LM6142AIN/NOPB Texas Instruments(德州仪器) DUAL OP-AMP, 1800uV OFFSET-MAX, 9MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8

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