LM6142AMJ/883放大器基础信息：
LM6142AMJ/883是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP8,.3
LM6142AMJ/883放大器核心信息：
LM6142AMJ/883的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：0.28 µA
厂商给出的LM6142AMJ/883的最大压摆率为2.3 mA，而最小压摆率为11 V/us。其最小电压增益为33000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LM6142AMJ/883增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为18000 kHz。LM6142AMJ/883的功率为NO。其可编程功率为NO。
LM6142AMJ/883的标称供电电压为24 V。而其供电电源的范围为：2.7/24 V。LM6142AMJ/883的输入失调电压为4800 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
LM6142AMJ/883的相关尺寸：
LM6142AMJ/883拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。
LM6142AMJ/883放大器其他信息：
LM6142AMJ/883采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。LM6142AMJ/883的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。
其属于微功率放大器。LM6142AMJ/883不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-CDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。LM6142AMJ/883的封装代码是：DIP。
LM6142AMJ/883封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。LM6142AMJ/883封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。
LM6142AMJ/883放大器基础信息：
LM6142AMJ/883是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP8,.3
LM6142AMJ/883放大器核心信息：
LM6142AMJ/883的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：0.28 µA
厂商给出的LM6142AMJ/883的最大压摆率为2.3 mA，而最小压摆率为11 V/us。其最小电压增益为33000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LM6142AMJ/883增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为18000 kHz。LM6142AMJ/883的功率为NO。其可编程功率为NO。
LM6142AMJ/883的标称供电电压为24 V。而其供电电源的范围为：2.7/24 V。LM6142AMJ/883的输入失调电压为4800 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
LM6142AMJ/883的相关尺寸：
LM6142AMJ/883拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。
LM6142AMJ/883放大器其他信息：
LM6142AMJ/883采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。LM6142AMJ/883的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。
其属于微功率放大器。LM6142AMJ/883不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-CDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。LM6142AMJ/883的封装代码是：DIP。
LM6142AMJ/883封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。LM6142AMJ/883封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.28 µA |
| 标称共模抑制比 | 100 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 4800 µV |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-偏置 | NO |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | YES |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 功率 | NO |
| 电源 | 2.7/24 V |
| 可编程功率 | NO |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最小摆率 | 11 V/us |
| 最大压摆率 | 2.3 mA |
| 供电电压上限 | 35 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 24 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 18000 kHz |
| 最小电压增益 | 33000 |
| 宽带 | NO |
| Base Number Matches | 1 |
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