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LM4832N

产品描述Digitally Controlled Tone and Volume Circuit with Stereo Audio Power Amplifier, Microphone Preamp Stage and National 3D Sound
产品类别模拟混合信号IC    消费电路   
文件大小689KB,共22页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数 选型对比

LM4832N概述

Digitally Controlled Tone and Volume Circuit with Stereo Audio Power Amplifier, Microphone Preamp Stage and National 3D Sound

LM4832N规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
包装说明DIP-28
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性MICROPHONE PREAMPLIFIER STAGE IS ALSO AVAILABLE
信道分离90 dB
商用集成电路类型TONE CONTROL CIRCUIT
谐波失真10%
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
长度35.725 mm
湿度敏感等级1
频带数量2
信道数量2
功能数量1
端子数量28
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.334 mm
最大压摆率21 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度15.24 mm

LM4832N相似产品对比

LM4832N LM4832 LM4832M
描述 Digitally Controlled Tone and Volume Circuit with Stereo Audio Power Amplifier, Microphone Preamp Stage and National 3D Sound Digitally Controlled Tone and Volume Circuit with Stereo Audio Power Amplifier, Microphone Preamp Stage and National 3D Sound Digitally Controlled Tone and Volume Circuit with Stereo Audio Power Amplifier, Microphone Preamp Stage and National 3D Sound
是否Rohs认证 不符合 - 不符合
厂商名称 National Semiconductor(TI ) - National Semiconductor(TI )
包装说明 DIP-28 - SOIC-28
Reach Compliance Code _compli - _compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99
其他特性 MICROPHONE PREAMPLIFIER STAGE IS ALSO AVAILABLE - MICROPHONE PREAMPLIFIER STAGE IS ALSO AVAILABLE
信道分离 90 dB - 90 dB
商用集成电路类型 TONE CONTROL CIRCUIT - TONE CONTROL CIRCUIT
谐波失真 10% - 10%
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 - R-PDSO-G28
JESD-609代码 e0 - e0
长度 35.725 mm - 17.9 mm
湿度敏感等级 1 - 2
频带数量 2 - 2
信道数量 2 - 2
功能数量 1 - 1
端子数量 28 - 28
最高工作温度 85 °C - 85 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP - SOP
封装等效代码 DIP28,.6 - SOP28,.4
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 220
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 5.334 mm - 2.65 mm
最大压摆率 21 mA - 21 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V - 4.5 V
表面贴装 NO - YES
技术 CMOS - CMOS
温度等级 INDUSTRIAL - INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) - Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 THROUGH-HOLE - GULL WING
端子节距 2.54 mm - 1.27 mm
端子位置 DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - 30
宽度 15.24 mm - 7.5 mm

 
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