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LM4832M

产品描述Digitally Controlled Tone and Volume Circuit with Stereo Audio Power Amplifier, Microphone Preamp Stage and National 3D Sound
产品类别模拟混合信号IC    消费电路   
文件大小689KB,共22页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数 选型对比

LM4832M概述

Digitally Controlled Tone and Volume Circuit with Stereo Audio Power Amplifier, Microphone Preamp Stage and National 3D Sound

LM4832M规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
包装说明SOIC-28
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性MICROPHONE PREAMPLIFIER STAGE IS ALSO AVAILABLE
信道分离90 dB
商用集成电路类型TONE CONTROL CIRCUIT
谐波失真10%
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
长度17.9 mm
湿度敏感等级2
频带数量2
信道数量2
功能数量1
端子数量28
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP28,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)220
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.65 mm
最大压摆率21 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度7.5 mm

LM4832M相似产品对比

LM4832M LM4832 LM4832N
描述 Digitally Controlled Tone and Volume Circuit with Stereo Audio Power Amplifier, Microphone Preamp Stage and National 3D Sound Digitally Controlled Tone and Volume Circuit with Stereo Audio Power Amplifier, Microphone Preamp Stage and National 3D Sound Digitally Controlled Tone and Volume Circuit with Stereo Audio Power Amplifier, Microphone Preamp Stage and National 3D Sound
是否Rohs认证 不符合 - 不符合
厂商名称 National Semiconductor(TI ) - National Semiconductor(TI )
包装说明 SOIC-28 - DIP-28
Reach Compliance Code _compli - _compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99
其他特性 MICROPHONE PREAMPLIFIER STAGE IS ALSO AVAILABLE - MICROPHONE PREAMPLIFIER STAGE IS ALSO AVAILABLE
信道分离 90 dB - 90 dB
商用集成电路类型 TONE CONTROL CIRCUIT - TONE CONTROL CIRCUIT
谐波失真 10% - 10%
JESD-30 代码 R-PDSO-G28 - R-PDIP-T28
JESD-609代码 e0 - e0
长度 17.9 mm - 35.725 mm
湿度敏感等级 2 - 1
频带数量 2 - 2
信道数量 2 - 2
功能数量 1 - 1
端子数量 28 - 28
最高工作温度 85 °C - 85 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP - DIP
封装等效代码 SOP28,.4 - DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 220 - 260
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 2.65 mm - 5.334 mm
最大压摆率 21 mA - 21 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V - 4.5 V
表面贴装 YES - NO
技术 CMOS - CMOS
温度等级 INDUSTRIAL - INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) - Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 GULL WING - THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm - 2.54 mm
端子位置 DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 - 40
宽度 7.5 mm - 15.24 mm
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