5.5 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39
5.5 A, 200 V, 0.4 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-39
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 3 |
最小击穿电压 | 200 V |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | 圆 |
包装尺寸 | 圆柱形的 |
端子形式 | 线 |
端子涂层 | 锡 铅 |
端子位置 | BOTTOM |
包装材料 | 金属 |
结构 | 单一的 |
元件数量 | 1 |
晶体管元件材料 | 硅 |
通道类型 | N沟道 |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | 通用电源 |
最大漏电流 | 5.5 A |
最大漏极导通电阻 | 0.4000 ohm |
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