电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

IRFR420A

产品描述3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小3MB,共7页
制造商Kersemi Electronic
官网地址http://www.kersemi.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRFR420A在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
IRFR420A - - 点击查看 点击购买

IRFR420A概述

3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

3.3 A, 500 V, 3 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-252AA

IRFR420A规格参数

参数名称属性值
端子数量2
最小击穿电压500 V
加工封装描述ROHS COMPLIANT, DPAK-3
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层MATTE TIN
端子位置SINGLE
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接DRAIN
元件数量1
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
场效应晶体管技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流3.3 A
额定雪崩能量140 mJ
最大漏极导通电阻3 ohm
最大漏电流脉冲10 A

IRFR420A相似产品对比

IRFR420A IRFR420ATRPBFA IRFR420APBF IRFR420ATRLPBF IRFU420A SIHFR420A SIHFR420A-E3 SIHFR420AT-E3A SIHFR420ATL-E3 SIHFU420A-E3
描述 3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 3.3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
最小击穿电压 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V
加工封装描述 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3
无铅 Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子涂层 MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
通道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式 ENHANCEMENT ENHANCEMENT ENHANCEMENT ENHANCEMENT ENHANCEMENT ENHANCEMENT ENHANCEMENT ENHANCEMENT ENHANCEMENT ENHANCEMENT
晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流 3.3 A 3.3 A 3.3 A 3.3 A 3.3 A 3.3 A 3.3 A 3.3 A 3.3 A 3.3 A
额定雪崩能量 140 mJ 140 mJ 140 mJ 140 mJ 140 mJ 140 mJ 140 mJ 140 mJ 140 mJ 140 mJ
最大漏极导通电阻 3 ohm 3 ohm 3 ohm 3 ohm 3 ohm 3 ohm 3 ohm 3 ohm 3 ohm 3 ohm
最大漏电流脉冲 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A
电子琴
挣点钱,不知能不能给大家帮助...
hxhz123 单片机
LM3S8962学习(一) -- 使用API实现blinky
从TI申请的板子在手上都很久了,也没有好好的玩过最近看大家都在热火朝天的学习,也来凑个热闹吧我是个懒人,我不喜欢去操作寄存器,所以我倾向于使用API,从最简单的IO操作开始吧我改造了一下自带的blinky代码定义#define LED GPIO_PIN_0一,需要有一些必要的头文件#include "inc/lm3s8962.h"#include "inc/hw_types.h"#include ...
chenzhufly 微控制器 MCU
【找年气儿】出门拜财神
气温稍微上升了点,今天和家人一起去拜佛,期盼龙年好运势,同祝论坛更红火。[[i] 本帖最后由 shower.xu 于 2012-1-27 21:09 编辑 [/i]]...
shower.xu 聊聊、笑笑、闹闹
Error:L6218E:是怎么回事
大家有没有遇到这样的情况usart.axf:Error:L6218E:Undefinedsymbol__BASEPRICONFIG(referredfromstm32f10x_nvic.o).我是在工程中添加stm32f10x_nvic.c就会这样...
2008zhjw stm32/stm8
一周精彩回顾:2018.11.5-11.11
[size=4]hi,大家好~~~我们的一周精彩回顾姗姗来迟了。刚刚过去的双11大家都抢购了什么东西呢?管管花了2w+。已经不是在剁手而是在搬家了。。我的荷包已经塌陷了。。题外话说过,咱们言归正传来看看上周的精彩帖子吧~[b][color=#ff0000]精彩帖子推荐:[/color][/b][url=home.php?mod=space&uid=115166]@辛昕[/url][url=http...
okhxyyo 聊聊、笑笑、闹闹
在wince下u盘怎么访问?
我想写个程序访问u盘上的文件,u盘插上后显示“硬盘”,那我的filename要怎么写才能访问到呢?主要就是想通过这种方式来保存注册表,hive的方法用不了,求教各位,希望了解的人不吝赐教,小弟谢谢了!我邮箱moonstarlau@yahoo.com...
yiersass WindowsCE

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 450  550  717  1093  1470 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved