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NS32082N8

产品描述IC,MEMORY MANAGEMENT UNIT,MOS,DIP,48PIN,PLASTIC
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小3MB,共39页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比 文档解析

NS32082N8概述

IC,MEMORY MANAGEMENT UNIT,MOS,DIP,48PIN,PLASTIC

NS32082N8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明DIP, DIP48,.6
Reach Compliance Codeunknow
JESD-30 代码R-PDIP-T48
JESD-609代码e0
端子数量48
最高工作温度70 °C
最低工作温度
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP48,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
uPs/uCs/外围集成电路类型MEMORY MANAGEMENT UNIT

文档解析

NS32082 内存管理单元提供全面的虚拟内存支持,包括地址映射、访问控制和调试辅助功能。产品作为从处理器工作,自动处理 16MB 虚拟空间的映射,利用物理内存表实现动态转换。核心目标是简化操作系统任务,如页面错误处理和访问权限验证。同时,它集成调试工具,如断点监控,增强系统开发灵活性,并采用标准 48 引脚封装确保硬件兼容性。 关键技术特性围绕片上 TLB 展开,32 项全相联设计确保高速转换,减少外部内存访问需求。保护机制通过两级页面表结构实现,每个条目包含有效位和保护级别字段,动态检查用户/超级用户模式访问权限。调试功能包括执行和数据断点,支持计数抑制逻辑,允许在指定事件后触发陷阱。产品还处理参考位和修改位的更新,便于操作系统优化内存分配。兼容性覆盖 NS32016、NS32032 和 NS32332 CPU,总线接口包括 ADS、DDIN 和 U/S 信号,用于模式切换和方向控制。 在应用中,该 MMU 适用于多任务环境和虚拟机器系统,其中双空间映射选项支持独立地址空间管理。其硬件加速特性降低了 CPU 开销,提升系统吞吐量。调试功能加速了固件测试周期,而标准封装简化了 PCB 设计,使其成为嵌入式系统的理想选择。

NS32082N8相似产品对比

NS32082N8 NS32082D-10 NS32082N-10 NS32082D NS32082D8 NS32082N6
描述 IC,MEMORY MANAGEMENT UNIT,MOS,DIP,48PIN,PLASTIC 16-BIT, MEMORY MANAGEMENT UNIT, CDIP48, HERMETIC SEALED, DIP-48 IC,MEMORY MANAGEMENT UNIT,MOS,DIP,48PIN,PLASTIC IC,MEMORY MANAGEMENT UNIT,MOS,DIP,48PIN,CERAMIC IC,MEMORY MANAGEMENT UNIT,MOS,DIP,48PIN,CERAMIC IC,MEMORY MANAGEMENT UNIT,MOS,DIP,48PIN,PLASTIC
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP48,.6 DIP, DIP48,.6 DIP, DIP48,.6 DIP, DIP48,.6 DIP, DIP48,.6 DIP, DIP48,.6
Reach Compliance Code unknow unknown unknow unknown unknown unknown
JESD-30 代码 R-PDIP-T48 R-CDIP-T48 R-PDIP-T48 R-XDIP-T48 R-XDIP-T48 R-PDIP-T48
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
端子数量 48 48 48 48 48 48
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY CERAMIC CERAMIC PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP48,.6 DIP48,.6 DIP48,.6 DIP48,.6 DIP48,.6 DIP48,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 MOS CMOS MOS MOS MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
uPs/uCs/外围集成电路类型 MEMORY MANAGEMENT UNIT MEMORY MANAGEMENT UNIT MEMORY MANAGEMENT UNIT MEMORY MANAGEMENT UNIT MEMORY MANAGEMENT UNIT MEMORY MANAGEMENT UNIT

 
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