NS32082D-10概述

16-BIT, MEMORY MANAGEMENT UNIT, CDIP48, HERMETIC SEALED, DIP-48

NS32082D-10规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
包装说明	DIP, DIP48,.6
Reach Compliance Code	unknown
地址总线宽度	24
总线兼容性	NS32332; NS32032; NS32016
外部数据总线宽度	16
JESD-30 代码	R-CDIP-T48
JESD-609代码	e0
低功率模式	NO
端子数量	48
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP48,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大供电电压	5.25 V
最小供电电压	4.75 V
标称供电电压	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型	MEMORY MANAGEMENT UNIT

文档解析

NS32082 内存管理单元（MMU）是 National Semiconductor 推出的硬件组件，旨在为需求分页虚拟内存系统提供高效支持。该产品作为从处理器运行，在基于 NS32000 系列微处理器的系统中实现动态地址转换、访问保护及调试功能。它支持高达 16MB 的虚拟地址空间映射到 32MB 的物理内存，简化了操作系统的内存管理任务。通过硬件级实现，该 MMU 提升了系统可靠性和响应速度，适用于需要复杂内存管理的计算平台。核心特性包括内置的 32 项全相联转换旁路缓冲器（TLB），可自动处理地址转换过程，并在大多数应用中实现 97% 的转换命中率。产品还提供详细的访问级别检查机制，区分用户和超级用户模式，确保未授权访问被检测和阻止。调试功能涵盖两个断点寄存器和断点计数器，支持实时监控内存引用，并生成非屏蔽中断或中止陷阱。兼容性方面，该单元无缝集成于 NS32016、NS32032 及 NS32332 CPU 系统，并采用 48 引脚双列直插封装，便于硬件设计。在应用场景中，NS32082 广泛用于虚拟机和操作系统环境，协助管理多地址空间和工作集。其自动映射和参考位更新简化了页面替换策略，而硬件调试工具加速了程序开发周期。该产品通过减少软件干预，优化了系统性能，适用于嵌入式控制和高性能计算领域。

NS32082D-10相似产品对比

	NS32082D-10	NS32082N-10	NS32082N8	NS32082D	NS32082D8	NS32082N6
描述	16-BIT, MEMORY MANAGEMENT UNIT, CDIP48, HERMETIC SEALED, DIP-48	IC,MEMORY MANAGEMENT UNIT,MOS,DIP,48PIN,PLASTIC	IC,MEMORY MANAGEMENT UNIT,MOS,DIP,48PIN,PLASTIC	IC,MEMORY MANAGEMENT UNIT,MOS,DIP,48PIN,CERAMIC	IC,MEMORY MANAGEMENT UNIT,MOS,DIP,48PIN,CERAMIC	IC,MEMORY MANAGEMENT UNIT,MOS,DIP,48PIN,PLASTIC
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	DIP, DIP48,.6	DIP, DIP48,.6	DIP, DIP48,.6	DIP, DIP48,.6	DIP, DIP48,.6	DIP, DIP48,.6
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknow	unknown	unknown	unknown
JESD-30 代码	R-CDIP-T48	R-PDIP-T48	R-PDIP-T48	R-XDIP-T48	R-XDIP-T48	R-PDIP-T48
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
端子数量	48	48	48	48	48	48
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP48,.6	DIP48,.6	DIP48,.6	DIP48,.6	DIP48,.6	DIP48,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
uPs/uCs/外围集成电路类型	MEMORY MANAGEMENT UNIT	MEMORY MANAGEMENT UNIT	MEMORY MANAGEMENT UNIT	MEMORY MANAGEMENT UNIT	MEMORY MANAGEMENT UNIT	MEMORY MANAGEMENT UNIT

NS32082D-10

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