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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CY7C1373B-133AC
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CY7C1373B-133AC

产品描述ZBT SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
产品类别存储    存储   
文件大小317KB，共23页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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CY7C1373B-133AC概述

ZBT SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100

CY7C1373B-133AC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码QFP
包装说明14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间6.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)3.63 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm

CY7C1373B-133AC相似产品对比

CY7C1373B-133AC CY7C1373B-133BGC CY7C1371B-133AC CY7C1371B-133BGC
描述 ZBT SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 ZBT SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119 ZBT SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 ZBT SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码 QFP BGA QFP BGA
包装说明 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119
针数 100 119 100 119
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 6.5 ns 6.5 ns 6.5 ns 6.5 ns
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 133 MHz 133 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 20 mm 22 mm 20 mm 22 mm
内存密度 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit
内存集成电路类型 ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 18 18 36 36
功能数量 1 1 1 1
端子数量 100 119 100 119
字数 1048576 words 1048576 words 524288 words 524288 words
字数代码 1000000 1000000 512000 512000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX18 1MX18 512KX36 512KX36
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP BGA LQFP BGA
封装等效代码 QFP100,.63X.87 BGA119,7X17,50 QFP100,.63X.87 BGA119,7X17,50
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 2.4 mm 1.6 mm 2.4 mm
最大待机电流 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A
最小待机电流 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING BALL GULL WING BALL
端子节距 0.65 mm 1.27 mm 0.65 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD BOTTOM QUAD BOTTOM
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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