CY7C1371B-133AC,CY7C1371B-133AC pdf中文资料,CY7C1371B-133AC引脚图,CY7C1371B-133AC电路-Datasheet-电子工程世界

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CY7C1371B-133AC: 产品描述ZBT SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小317KB，共23页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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CY7C1371B-133AC概述

ZBT SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100

CY7C1371B-133AC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	QFP
包装说明	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	6.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	100
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.03 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm

CY7C1371B-133AC相似产品对比

	CY7C1371B-133AC	CY7C1373B-133BGC	CY7C1371B-133BGC	CY7C1373B-133AC
描述	ZBT SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	ZBT SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119	ZBT SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119	ZBT SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	QFP	BGA	BGA	QFP
包装说明	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
针数	100	119	119	100
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	6.5 ns	6.5 ns	6.5 ns	6.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	20 mm	22 mm	22 mm	20 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	36	18	36	18
功能数量	1	1	1	1
端子数量	100	119	119	100
字数	524288 words	1048576 words	524288 words	1048576 words
字数代码	512000	1000000	512000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	512KX36	1MX18	512KX36	1MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	BGA	BGA	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	2.4 mm	2.4 mm	1.6 mm
最大待机电流	0.03 A	0.03 A	0.03 A	0.03 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	BALL	BALL	GULL WING
端子节距	0.65 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	BOTTOM	BOTTOM	QUAD
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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