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CL0-65664L-70SHXXX:RD

产品描述Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS,
产品类别存储    存储   
文件大小569KB,共9页
制造商TEMIC
官网地址http://www.temic.de/
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CL0-65664L-70SHXXX:RD概述

Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS,

CL0-65664L-70SHXXX:RD规格参数

参数名称属性值
厂商名称TEMIC
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
JESD-30 代码X-XUUC-N27
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量27
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIE
封装形状UNSPECIFIED
封装形式UNCASED CHIP
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最小待机电流2 V
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
存储数据到指定的Flash区域问题?
程序中有一部分数据需要存储在指定的Flash地址部分,此部分数据可以更新。存储方式如下: u16 Numbers[2] __at(Flash_Addr)={3246,1048};其中Flash_Addr = 0x08038000; 以这样的方式定义后用Flash Loader烧写时速度很慢。主要原因是原来程序是30k,这样定义后程序变成了210k,烧写速度大大降低。 将Flash_Addr 定义在...
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