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SNJ54170J: 产品描述Standard SRAM, 4X4, CMOS, CDIP16,; 产品类别存储存储; 文件大小911KB，共11页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/

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SNJ54170J概述

Standard SRAM, 4X4, CMOS, CDIP16,

SNJ54170J规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Rochester Electronics
包装说明	DIP,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
JESD-30 代码	R-CDIP-T16
JESD-609代码	e0
长度	19.56 mm
内存密度	16 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端子数量	16
字数	4 words
字数代码	4
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	4X4
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm

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	SNJ54170J	SN54LS170W	SNJ54LS170FK	SN54170J	SN54LS170FK	SN54170W	SNJ54170W
描述	Standard SRAM, 4X4, CMOS, CDIP16,	Standard SRAM, 4X4, 40ns, CMOS, CDFP16,	Standard SRAM, 4X4, CMOS, CQCC20	Standard SRAM, 4X4, 40ns, CMOS, CDIP16,	Standard SRAM, 4X4, 40ns, CMOS, CQCC20,	Standard SRAM, 4X4, 40ns, CMOS, CDFP16,	Standard SRAM, 4X4, CMOS, CDFP16
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
JESD-30 代码	R-CDIP-T16	R-CDFP-F16	S-CQCC-N20	R-CDIP-T16	S-CQCC-N20	R-CDFP-F16	R-CDFP-F16
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	19.56 mm	10.2 mm	8.89 mm	19.56 mm	8.89 mm	10.2 mm	10.2 mm
内存密度	16 bit	16 bit	16 bit	16 bit	16 bit	16 bit	16 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	16	16	20	16	20	16	16
字数	4 words	4 words	4 words	4 words	4 words	4 words	4 words
字数代码	4	4	4	4	4	4	4
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	4X4	4X4	4X4	4X4	4X4	4X4	4X4
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	DFP	QCCN	DIP	QCCN	DFP	DFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	FLATPACK	CHIP CARRIER	IN-LINE	CHIP CARRIER	FLATPACK	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	2.03 mm	2.03 mm	5.08 mm	2.03 mm	2.03 mm	2.03 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	NO	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	FLAT	NO LEAD	THROUGH-HOLE	NO LEAD	FLAT	FLAT
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	QUAD	DUAL	QUAD	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm	6.73 mm	8.89 mm	7.62 mm	8.89 mm	6.73 mm	6.73 mm
包装说明	DIP,	DFP,	-	DIP,	QCCN,	DFP,	DFP,
最长访问时间	-	40 ns	-	40 ns	40 ns	40 ns	-
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1	-

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