电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HS3GB

产品描述3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小219KB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
下载文档 选型对比 全文预览

HS3GB在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
HS3GB - - 点击查看 点击购买

HS3GB概述

3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA

文档预览

下载PDF文档
HS3AB - HS3MB
3.0 AMPS. High Efficient Surface Mount Rectifiers
SMB/DO-214AA
Features
Glass passivated junction chip.
For surface mounted application
Low forward voltage drop
Low profile package
Built-in stain relief, ideal for automatic
placement
Fast switching for high efficiency
High temperature soldering:
o
260 C/10 seconds at terminals
Plastic material used carries Underwriters
Laboratory Classification 94V0
Mechanical Data
Cases: Molded plastic
Terminals: Pure tin plated, lead free
Polarity: Indicated by cathode band
Weight: 0.093 gram
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
See Fig. 1
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single
Half Sine-wave Superimposed on Rated
Load (JEDEC method )
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@ 3.0A
Maximum DC Reverse Current @ T
A
=25
o
C
o
at Rated DC Blocking Voltage @ T
A
=125 C
Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 )
Typical Junction Capacitance ( Note 2 )
Operating Temperature Range
Symbol
HS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Trr
Cj
T
J
HS
HS
3AB 3BB 3DB
HS
3FB
HS
3GB
HS
3JB
HS
HS
3KB 3MB
Units
V
V
V
A
A
50
35
50
100 200 300 400 600 800 1000
70 140 210 280 420 560 700
100 200 300 400 600 800 1000
3.0
150
1.0
1.3
10
250
50
80
-55 to +150
-55 to +150
75
50
1.7
V
uA
uA
nS
pF
o
C
o
C
Storage Temperature Range
T
STG
1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Notes:
2. Measured at 1 MHz and Applied V
R
=4.0 Volts.
3. Measured on P.C.Board with 0.6” x 0.6” (16mm x 16mm) Copper Pad Area.
http://www.luguang.cn
mail:lge@luguang.cn

HS3GB相似产品对比

HS3GB HS3AB HS3BB HS3DB HS3FB HS3JB HS3KB HS3MB
描述 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA 3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA
请问高手149最多可以模拟多少个串口啊?
我现在知道用ta定时器可以模拟出三个串口,还有没有办法模拟更多?...
applebee 微控制器 MCU
怎样胜任嵌入式系统工程师
1)掌握科学基础知识; 2)掌握嵌入式系统的硬件、软件知识; 3)掌握嵌入式系统分析的方法; 4)掌握嵌入式系统设计与开发的方法及步骤; 5)掌握嵌入式系统实施的方法 6)掌握嵌入式系统运行 ......
成都亚嵌 工作这点儿事
ds18b20中减法计数器2
ds18b20温度传感器工作原理有一句话"如此循环直到减法计数器2计数到0时,停止温度寄存器值的累加,此时温度寄存器中的数值即为所测温度。"这句话不解啊。计数器2怎么就会计数到0呢?谁在对他起 ......
chenyaoxin 模拟电子
Windows系统中的应用软件到底层硬件有几层结构
Windows系统中的应用软件到底层硬件有几层结构 每个方面的情况如何....
nuanshuiping 嵌入式系统
基于I2C总线的ADS1100型16位模/数转换器
它具有分辨率、接口简单、比例放大、功耗低、体积小等优点。ADS1100采用电源电压为基准电压,可按比例进行A/D转换,同时带有差分输入且具有高达16位的分辨率。 ADS1100每秒可采样8、16、32 ......
莫妮卡 模拟与混合信号
用qt creator 编译QT5应用
编译器: ARM-poky-linux-gnueabi-gcc 文件版本:L4115-fsl-image-qt5-myimx6a9.tar.bz2 1.交叉编译工具 安装教程编译工具: chmod +x fsl-imx-fb-glibc-x86_64-meta-toolchain-qt5- ......
明远智睿Lan 工业自动化与控制

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1664  2092  1937  2907  2577  18  44  37  56  51 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved