LE47F512-200,LE47F512-200 pdf中文资料,LE47F512-200引脚图,LE47F512-200电路-Datasheet-电子工程世界

LE47F512-200: 产品描述Flash, 64KX8, 200ns, CQCC32; 产品类别存储存储; 文件大小260KB，共10页; 制造商LSC/CSI; 官网地址https://lsicsi.com

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LE47F512-200概述

Flash, 64KX8, 200ns, CQCC32

LE47F512-200规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	LSC/CSI
包装说明	QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	200 ns
其他特性	100 ERASE/PROGRAM CYCLES; DATA RETENTION > 10 YEARS
命令用户界面	NO
数据轮询	NO
数据保留时间-最小值	10
JESD-30 代码	R-CQCC-N32
JESD-609代码	e0
内存密度	524288 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN
封装等效代码	LCC32,.45X.55
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
编程电压	12 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.0004 A
最大压摆率	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
类型	NOR TYPE

LE47F512-200相似产品对比

	LE47F512-200	LM47F512-250/B	LE47F512-250	LM47F512-300/B	LE47F512-300
描述	Flash, 64KX8, 200ns, CQCC32	Flash, 64KX8, 250ns, CQCC32	Flash, 64KX8, 250ns, CQCC32	Flash, 64KX8, 300ns, CQCC32	Flash, 64KX8, 300ns, CQCC32
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	LSC/CSI	LSC/CSI	LSC/CSI	LSC/CSI	LSC/CSI
包装说明	QCCN, LCC32,.45X.55	QCCN, LCC32,.45X.55	QCCN, LCC32,.45X.55	QCCN, LCC32,.45X.55	QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	3A001.A.2.C	EAR99	3A001.A.2.C	EAR99
最长访问时间	200 ns	250 ns	250 ns	300 ns	300 ns
其他特性	100 ERASE/PROGRAM CYCLES; DATA RETENTION > 10 YEARS	100 ERASE/PROGRAM CYCLES; DATA RETENTION > 10 YEARS	100 ERASE/PROGRAM CYCLES; DATA RETENTION > 10 YEARS	100 ERASE/PROGRAM CYCLES; DATA RETENTION > 10 YEARS	100 ERASE/PROGRAM CYCLES; DATA RETENTION > 10 YEARS
命令用户界面	NO	NO	NO	NO	NO
数据轮询	NO	NO	NO	NO	NO
数据保留时间-最小值	10	10	10	10	10
JESD-30 代码	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	524288 bi	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bi
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	125 °C	85 °C	125 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-55 °C	-40 °C	-55 °C	-40 °C
组织	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN	QCCN	QCCN	QCCN	QCCN
封装等效代码	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
编程电压	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.0004 A	0.0004 A	0.0004 A	0.0004 A	0.0004 A
最大压摆率	0.04 mA	0.04 mA	0.04 mA	0.04 mA	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	MILITARY	INDUSTRIAL	MILITARY	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
切换位	NO	NO	NO	NO	NO
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE

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