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SST823-TO-72

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-72, ROHS COMPLIANT, METAL PACKAGE-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小431KB,共11页
制造商Linear ( ADI )
官网地址http://www.analog.com/cn/index.html
标准  
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SST823-TO-72概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-72, ROHS COMPLIANT, METAL PACKAGE-4

SST823-TO-72规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Linear ( ADI )
零件包装代码TO-72
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
针数4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压25 V
最大漏极电流 (ID)0.2 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)5 pF
JEDEC-95代码TO-72
JESD-30 代码O-MBCY-W4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度125 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

SST823-TO-72相似产品对比

SST823-TO-72 SST823-SOT-143 SST824-TO-72 SST824-SOT-143 SST823DE
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-72, ROHS COMPLIANT, METAL PACKAGE-4 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-72, ROHS COMPLIANT, METAL PACKAGE-4 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4 Transistor,
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 ,
Reach Compliance Code compli compliant compliant compliant compliant
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 -
厂商名称 Linear ( ADI ) - Linear ( ADI ) Linear ( ADI ) Linear ( ADI )
针数 4 4 4 4 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 25 V 25 V 25 V 25 V -
最大漏极电流 (ID) 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A -
最大漏源导通电阻 5 Ω 5 Ω 5 Ω 5 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
最大反馈电容 (Crss) 5 pF 5 pF 5 pF 5 pF -
JESD-30 代码 O-MBCY-W4 R-PDSO-G4 O-MBCY-W4 R-PDSO-G4 -
元件数量 1 1 1 1 -
端子数量 4 4 4 4 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C -
封装主体材料 METAL PLASTIC/EPOXY METAL PLASTIC/EPOXY -
封装形状 ROUND RECTANGULAR ROUND RECTANGULAR -
封装形式 CYLINDRICAL SMALL OUTLINE CYLINDRICAL SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED 260 -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 NO YES NO YES -
端子形式 WIRE GULL WING WIRE GULL WING -
端子位置 BOTTOM DUAL BOTTOM DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 40 NOT SPECIFIED 40 -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON -
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