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IRHY7G30CMSESCVPBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小110KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准  
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IRHY7G30CMSESCVPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA

IRHY7G30CMSESCVPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)84 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压1000 V
最大漏极电流 (ID)1.2 A
最大漏源导通电阻15 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-257AA
JESD-30 代码S-CSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)4.8 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IRHY7G30CMSESCVPBF相似产品对比

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描述 Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA
是否无铅 不含铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
包装说明 FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
Reach Compliance Code compli compliant compli
雪崩能效等级(Eas) 84 mJ 84 mJ 84 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 1000 V 1000 V 1000 V
最大漏极电流 (ID) 1.2 A 1.2 A 1.2 A
最大漏源导通电阻 15 Ω 15 Ω 15 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-257AA TO-257AA TO-257AA
JESD-30 代码 S-CSFM-P3 S-CSFM-P3 S-CSFM-P3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 4.8 A 4.8 A 4.8 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
ECCN代码 EAR99 - EAR99
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