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BC858BW

产品描述RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小159KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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BC858BW概述

RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

BC858BW规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)210
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

BC858BW相似产品对比

BC858BW BC858B
描述 RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 30 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 210 210
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e1 e1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz
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