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BC858B

产品描述RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小159KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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BC858B概述

RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

BC858B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量4.5 pF
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)210
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1

BC858B相似产品对比

BC858B BC858BW
描述 RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 30 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 210 210
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e1 e1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W 0.2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz
Base Number Matches 1 1

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