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IRF540_R4941

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小114KB,共6页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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IRF540_R4941概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IRF540_R4941规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)28 A
最大漏极电流 (ID)28 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
元件数量1
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

IRF540_R4941相似产品对比

IRF540_R4941 RF1S540SM9A
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB,
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Fairchild Fairchild
Reach Compliance Code unknow compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID) 28 A 28 A
最大漏极电流 (ID) 28 A 28 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 175 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W 120 W
表面贴装 NO YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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