Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Fairchild |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 28 A |
最大漏极电流 (ID) | 28 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 150 W |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
IRF540_R4941 | RF1S540SM9A | |
---|---|---|
描述 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Fairchild | Fairchild |
Reach Compliance Code | unknow | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
配置 | Single | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 28 A | 28 A |
最大漏极电流 (ID) | 28 A | 28 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 175 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 150 W | 120 W |
表面贴装 | NO | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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