Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Fairchild |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 230 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 28 A |
最大漏极电流 (ID) | 28 A |
最大漏源导通电阻 | 0.077 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-263AB |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 120 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 110 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
RF1S540SM9A | IRF540_R4941 | |
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描述 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Fairchild | Fairchild |
Reach Compliance Code | compliant | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 28 A | 28 A |
最大漏极电流 (ID) | 28 A | 28 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 120 W | 150 W |
表面贴装 | YES | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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