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RF1S540SM9A

产品描述Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小114KB,共6页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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RF1S540SM9A概述

Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB,

RF1S540SM9A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)230 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)28 A
最大漏极电流 (ID)28 A
最大漏源导通电阻0.077 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)120 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)110 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

RF1S540SM9A相似产品对比

RF1S540SM9A IRF540_R4941
描述 Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Fairchild Fairchild
Reach Compliance Code compliant unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 28 A 28 A
最大漏极电流 (ID) 28 A 28 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 120 W 150 W
表面贴装 YES NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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