0.5 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
零件包装代码 | DO-213AA |
包装说明 | O-PELF-N2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | FREE WHEELING DIODE |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.3 V |
JEDEC-95代码 | DO-213AA |
JESD-30 代码 | O-PELF-N2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
最大非重复峰值正向电流 | 10 A |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
最大输出电流 | 0.5 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 600 V |
最大反向恢复时间 | 1.5 µs |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | END |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
Base Number Matches | 1 |
GL34J-E3 | GL34B/1 | GL34D/1 | GL34G/1 | |
---|---|---|---|---|
描述 | 0.5 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213 | DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213 |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | 标准 | 标准 | 标准 |
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) | - | 100V | 200V | 400V |
电流 - 平均整流(Io) | - | 500mA | 500mA | 500mA |
不同 If 时的电压 - 正向(Vf | - | 1.2V @ 500mA | 1.2V @ 500mA | 1.2V @ 500mA |
速度 | - | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间(trr) | - | 1.5µs | 1.5µs | 1.5µs |
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 | - | 5µA @ 100V | 5µA @ 200V | 5µA @ 400V |
不同 Vr,F 时的电容 | - | 4pF @ 4V,1MHz | 4pF @ 4V,1MHz | 4pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | - | 表面贴装 | 表面贴装 | 表面贴装 |
封装/外壳 | - | DO-213AA(玻璃) | DO-213AA(玻璃) | DO-213AA(玻璃) |
供应商器件封装 | - | DO-213AA(GL34) | DO-213AA(GL34) | DO-213AA(GL34) |
工作温度 - 结 | - | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved