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GL34J-E3

产品描述0.5 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小80KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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GL34J-E3概述

0.5 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA

GL34J-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-213AA
包装说明O-PELF-N2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码DO-213AA
JESD-30 代码O-PELF-N2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流10 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间1.5 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

GL34J-E3相似产品对比

GL34J-E3 GL34B/1 GL34D/1 GL34G/1
描述 0.5 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213 DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
二极管类型 RECTIFIER DIODE 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) - 100V 200V 400V
电流 - 平均整流(Io) - 500mA 500mA 500mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf - 1.2V @ 500mA 1.2V @ 500mA 1.2V @ 500mA
速度 - 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) - 1.5µs 1.5µs 1.5µs
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 - 5µA @ 100V 5µA @ 200V 5µA @ 400V
不同 Vr,F 时的电容 - 4pF @ 4V,1MHz 4pF @ 4V,1MHz 4pF @ 4V,1MHz
安装类型 - 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 - DO-213AA(玻璃) DO-213AA(玻璃) DO-213AA(玻璃)
供应商器件封装 - DO-213AA(GL34) DO-213AA(GL34) DO-213AA(GL34)
工作温度 - 结 - -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C

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