DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213
| 参数名称 | 属性值 |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） | 200V |
| 电流 - 平均整流（Io） | 500mA |
| 不同 If 时的电压 - 正向（Vf | 1.2V @ 500mA |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间（trr） | 1.5µs |
| 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 | 5µA @ 200V |
| 不同 Vr，F 时的电容 | 4pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-213AA（玻璃） |
| 供应商器件封装 | DO-213AA（GL34） |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 175°C |
| GL34D/1 | GL34J-E3 | GL34B/1 | GL34G/1 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213 | 0.5 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213 |
| 二极管类型 | 标准 | RECTIFIER DIODE | 标准 | 标准 |
| 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） | 200V | - | 100V | 400V |
| 电流 - 平均整流（Io） | 500mA | - | 500mA | 500mA |
| 不同 If 时的电压 - 正向（Vf | 1.2V @ 500mA | - | 1.2V @ 500mA | 1.2V @ 500mA |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） | - | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间（trr） | 1.5µs | - | 1.5µs | 1.5µs |
| 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 | 5µA @ 200V | - | 5µA @ 100V | 5µA @ 400V |
| 不同 Vr，F 时的电容 | 4pF @ 4V，1MHz | - | 4pF @ 4V，1MHz | 4pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | - | 表面贴装 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-213AA（玻璃） | - | DO-213AA（玻璃） | DO-213AA（玻璃） |
| 供应商器件封装 | DO-213AA（GL34） | - | DO-213AA（GL34） | DO-213AA（GL34） |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 175°C | - | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
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