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APT35GP120B2D2

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 46A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TMAX-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小117KB,共9页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
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APT35GP120B2D2概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 46A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TMAX-3

APT35GP120B2D2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ADPOW
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)46 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值6 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)540 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)283 ns
标称接通时间 (ton)39 ns

 
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