Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, CDIP28
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Microtech Semiconductors |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 100 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bi |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.07 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| UT6832SJ-100 | UT6832J-85 | UT6832W-100 | UT6832J-100 | UT6832W-85 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, CDIP28 | Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, CDIP28 | Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, CQCC32 | Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, CDIP28 | Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, CQCC32 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Microtech Semiconductors | Microtech Semiconductors | Microtech Semiconductors | Microtech Semiconductors | Microtech Semiconductors |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.3 | DIP, DIP28,.6 | QCCN, LCC32,.45X.55 | DIP, DIP28,.6 | QCCN, LCC32,.45X.55 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknown | unknow | unknow |
| 最长访问时间 | 100 ns | 85 ns | 100 ns | 100 ns | 85 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T28 | R-XDIP-T28 | R-XQCC-N32 | R-XDIP-T28 | R-XQCC-N32 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bi | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bi | 262144 bi |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 端子数量 | 28 | 28 | 32 | 28 | 32 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP | DIP | QCCN | DIP | QCCN |
| 封装等效代码 | DIP28,.3 | DIP28,.6 | LCC32,.45X.55 | DIP28,.6 | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER | IN-LINE | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.07 mA | 0.07 mA | 0.07 mA | 0.07 mA | 0.07 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | YES | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | QUAD | DUAL | QUAD |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | - | - | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
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