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UT6832J-100

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, CDIP28
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文件大小120KB,共2页
制造商Microtech Semiconductors
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UT6832J-100概述

Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, CDIP28

UT6832J-100规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microtech Semiconductors
包装说明DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间100 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度262144 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0001 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.07 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

UT6832J-100相似产品对比

UT6832J-100 UT6832J-85 UT6832W-100 UT6832SJ-100 UT6832W-85
描述 Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, CDIP28 Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, CDIP28 Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, CQCC32 Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, CDIP28 Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, CQCC32
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Microtech Semiconductors Microtech Semiconductors Microtech Semiconductors Microtech Semiconductors Microtech Semiconductors
包装说明 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6 QCCN, LCC32,.45X.55 DIP, DIP28,.3 QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknow unknow
最长访问时间 100 ns 85 ns 100 ns 100 ns 85 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28 R-XQCC-N32 R-XDIP-T28 R-XQCC-N32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 262144 bi 262144 bit 262144 bit 262144 bi 262144 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8
端子数量 28 28 32 28 32
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP QCCN DIP QCCN
封装等效代码 DIP28,.6 DIP28,.6 LCC32,.45X.55 DIP28,.3 LCC32,.45X.55
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.07 mA 0.07 mA 0.07 mA 0.07 mA 0.07 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL QUAD DUAL QUAD
ECCN代码 3A001.A.2.C - - 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
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