Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, CDIP28
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microtech Semiconductors |
包装说明 | DIP, DIP28,.6 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 100 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDIP-T28 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 262144 bi |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 |
端子数量 | 28 |
字数 | 32768 words |
字数代码 | 32000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 32KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP28,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最小待机电流 | 4.5 V |
最大压摆率 | 0.07 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
UT6832J-100 | UT6832J-85 | UT6832W-100 | UT6832SJ-100 | UT6832W-85 | |
---|---|---|---|---|---|
描述 | Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, CDIP28 | Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, CDIP28 | Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, CQCC32 | Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, CDIP28 | Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, CQCC32 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Microtech Semiconductors | Microtech Semiconductors | Microtech Semiconductors | Microtech Semiconductors | Microtech Semiconductors |
包装说明 | DIP, DIP28,.6 | DIP, DIP28,.6 | QCCN, LCC32,.45X.55 | DIP, DIP28,.3 | QCCN, LCC32,.45X.55 |
Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknown | unknow | unknow |
最长访问时间 | 100 ns | 85 ns | 100 ns | 100 ns | 85 ns |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDIP-T28 | R-XDIP-T28 | R-XQCC-N32 | R-XDIP-T28 | R-XQCC-N32 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
内存密度 | 262144 bi | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bi | 262144 bi |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
端子数量 | 28 | 28 | 32 | 28 | 32 |
字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
组织 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
封装代码 | DIP | DIP | QCCN | DIP | QCCN |
封装等效代码 | DIP28,.6 | DIP28,.6 | LCC32,.45X.55 | DIP28,.3 | LCC32,.45X.55 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER | IN-LINE | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A |
最小待机电流 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
最大压摆率 | 0.07 mA | 0.07 mA | 0.07 mA | 0.07 mA | 0.07 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO | YES | NO | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | QUAD | DUAL | QUAD |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C | - | - | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
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