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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> GBL02-G
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GBL02-G

产品描述4 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小67KB，共3页
制造商Comchip Technology
官网地址http://www.comchiptech.com/
标准
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GBL02-G概述

4 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

GBL02-G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Comchip Technology
包装说明R-PSIP-T4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压200 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码R-PSIP-T4
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Glass Passivated Bridge Rectifiers
GBL005-G Thru. GBL10-G
Reverse Voltage: 50 to 1000V
Forward Current: 4.0A
RoHS Device
Features
-Rating to 1000V PRV
-Surge overload rating - 125 amperes peak.
0.098(2.5)
*45°
Cha mfer
2GBJ
0.81(20.6)
0.77(19.6)
0.142(3.6)
0.133(3.4)
Mechanical Data
-Epoxy: U/L 94-V0 rate flame retardant.
-Case: Molded plastic, 2GBJ
-Polarit:As marked on Body
-Mounting position: Any
-Weight: 2.151grams
0.106(2.7)
0.091(2.3)
0.44(11.2)
0.42(10.7)
+
-
0.043(1.1)
0.56(14.2) 0.035(0.9)
0.50(12.7)
0.059(1.5)
0.051(1.3)
0.210(5.3)
0.190(4.8)
0.210(5.3)
0.190(4.8)
0.210(5.3)
0.190(4.8)
0.020(0.51)
0.015(0.38)
0.045(1.14)
0.035(0.90)
Dimensions in inches and (millimeter)
Maximum ratings and electrical characteristics
Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
O
Parameter
Maximum Reverse Peak Repetitive Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Output Current @T
A
=50°C
Peak Forward Surage Current ,
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed On Rated Load
Maximum Forward Voltage Drop
Per Bridge Element at 4.0A Peak
Maximum Reverse Current At Rate
DC Blocking Voltage
Maximum Reverse Current At Rate
DC Blocking Voltage @T
J
=100°C
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
GBL005-G GBL01-G
50
35
50
100
70
100
GBL02-G
200
140
200
GBL04-G
400
280
400
4.0
GBL06-G
600
420
600
GBL08-G
800
560
800
GBL10-G
1000
700
1000
Unit
V
V
V
A
I
FSM
125
A
V
F
I
R
I
R
T
J
T
STG
1.1
10.0
1.0
-55 to +150
-55 to +150
V
μA
mA
O
C
C
O
Notes:
1. Mounting Conditions,0.5” lead length maximum.
REV:A
QW-BBR52
Page 1
Comchip Technology CO., LTD.

GBL02-G相似产品对比

GBL02-G GBL005-G GBL01-G GBL04-G GBL10-G
描述 4 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Comchip Technology Comchip Technology Comchip Technology Comchip Technology Comchip Technology
包装说明 R-PSIP-T4 R-PSIP-T4 R-PSIP-T4 R-PSIP-T4 R-PSIP-T4
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
最小击穿电压 200 V 50 V 100 V 400 V 1000 V
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
JESD-30 代码 R-PSIP-T4 R-PSIP-T4 R-PSIP-T4 R-PSIP-T4 R-PSIP-T4
最大非重复峰值正向电流 125 A 125 A 125 A 125 A 125 A
元件数量 4 4 4 4 4
相数 1 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 200 V 50 V 100 V 400 V 1000 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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