Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> GBL01-G

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GBL01-G: 产品描述4 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小67KB，共3页; 制造商Comchip Technology; 官网地址http://www.comchiptech.com/; 标准

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GBL01-G概述

4 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

GBL01-G规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Comchip Technology
包装说明	R-PSIP-T4
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	UL RECOGNIZED
最小击穿电压	100 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V
JESD-30 代码	R-PSIP-T4
最大非重复峰值正向电流	125 A
元件数量	4
相数	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	4 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	100 V
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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Glass Passivated Bridge Rectifiers

GBL005-G Thru. GBL10-G

Reverse Voltage: 50 to 1000V

Forward Current: 4.0A

RoHS Device

Features

-Rating to 1000V PRV

-Surge overload rating - 125 amperes peak.

0.098(2.5)

*45°

Cha mfer

2GBJ

0.81(20.6)

0.77(19.6)

0.142(3.6)

0.133(3.4)

Mechanical Data

-Epoxy: U/L 94-V0 rate flame retardant.

-Case: Molded plastic, 2GBJ

-Polarit:As marked on Body

-Mounting position: Any

-Weight: 2.151grams

0.106(2.7)

0.091(2.3)

0.44(11.2)

0.42(10.7)

0.043(1.1)

0.56(14.2) 0.035(0.9)

0.50(12.7)

0.059(1.5)

0.051(1.3)

0.210(5.3)

0.190(4.8)

0.210(5.3)

0.190(4.8)

0.210(5.3)

0.190(4.8)

0.020(0.51)

0.015(0.38)

0.045(1.14)

0.035(0.90)

Dimensions in inches and (millimeter)

Maximum ratings and electrical characteristics

Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

Parameter

Maximum Reverse Peak Repetitive Voltage

Maximum RMS Bridge Input Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified

Output Current @T

=50°C

Peak Forward Surage Current ,

8.3ms Single Half Sine-Wave

Super Imposed On Rated Load

Maximum Forward Voltage Drop

Per Bridge Element at 4.0A Peak

Maximum Reverse Current At Rate

DC Blocking Voltage

Maximum Reverse Current At Rate

DC Blocking Voltage @T

=100°C

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

Symbol

RRM

RMS

(AV)

GBL005-G GBL01-G

100

GBL02-G

200

140

200

GBL04-G

400

280

400

4.0

GBL06-G

600

420

600

GBL08-G

800

560

800

GBL10-G

1000

700

1000

Unit

FSM

125

STG

1.1

10.0

1.0

-55 to +150

μA

Notes:

1. Mounting Conditions,0.5” lead length maximum.

REV:A

QW-BBR52

Page 1

Comchip Technology CO., LTD.

GBL01-G相似产品对比

	GBL01-G	GBL005-G	GBL02-G	GBL04-G	GBL10-G
描述	4 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	4 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	4 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	4 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	4 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Comchip Technology	Comchip Technology	Comchip Technology	Comchip Technology	Comchip Technology
包装说明	R-PSIP-T4	R-PSIP-T4	R-PSIP-T4	R-PSIP-T4	R-PSIP-T4
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	UL RECOGNIZED	UL RECOGNIZED	UL RECOGNIZED	UL RECOGNIZED	UL RECOGNIZED
最小击穿电压	100 V	50 V	200 V	400 V	1000 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V
JESD-30 代码	R-PSIP-T4	R-PSIP-T4	R-PSIP-T4	R-PSIP-T4	R-PSIP-T4
最大非重复峰值正向电流	125 A	125 A	125 A	125 A	125 A
元件数量	4	4	4	4	4
相数	1	1	1	1	1
端子数量	4	4	4	4	4
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
最大输出电流	4 A	4 A	4 A	4 A	4 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	100 V	50 V	200 V	400 V	1000 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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